mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ rate.etch machine=Si3N4_Etch nitride n.m rie isotropic=20.0 etch machine=Si3N4_Etch time=5 minutes Po Si 3 N 4 ėsdinimo fotorezisto kaukė nereikalinga ir ji pašalinama organiniuose tirpikliuose ir koncentruotose rūgštyse („šlapiai“) arba plazmoje („sausai“), arba viena po kitos vykdomos fotorezisto nuėmimo sausuoju ir / arba šlapiuoju būdu operacijos. Fotorezisto šalinimo programinis kodas yra toks: # Likusio fotorezisto pašalinimas etch name.resist=AZ1350J all Po to atliekamas lokalus silicio oksidavimo procesas vandens garuose. Kai proceso temperatūra yra lygi 1000 ºC, o trukmė – 90 min., programinis kodas toks: # Lokalus silicio oksidavimas method fermi compress diffuse time=90 temp=1000 weto2 Atlikus lokalų silicio oksidavimą, Si 3 N 4 sluoksnis pašalinamas ir fiksuojamas gautos struktūros vaizdas (5.1 pav.): # Likusio Si3N4 pašalinimas etch nitride all # Gautos struktūros saugojimas structure outfile=lithography_1.str # Gautos struktūros atvaizdavimas tonyplot -st lithography_1.str -set settings.set 81
5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ 5.1 pav. Puslaidininkinė plokštelė, lokaliai oksidavus silicį Reikėtų atkreipti dėmesį, kad TonyPlot paprogramei yra nurodytas tekstinis nustatymų settings.set failas. Šio failo turinys yra pateiktas 1 priede. Šis failas turi būti išsaugotas tame pačiame kataloge kaip ir rašomo programinio kodo failas. Šie nustatymai yra skirti kuriamam vaizdui konfigūruoti: spalvoms parinkti, norimoms funkcijoms įjungti / išjungti, priemaišų koncentracijos legendai perkelti arba išjungti, norimam tekstui sulietuvinti ir t. t. n ir p sričių (kišenių) formavimas. Antroji, arba p kišenių fotolitografija, vykdoma norint pašalinti fotorezistą po jo dengimo operacijos nuo p laidumo priemaišų įterpimo sričių (p kišenių), kuriose bus formuojami NMOP tranzistoriai. Antrosios fotolitografijos programinis kodas pateikiamas toliau: ### II fotolitografija: NMOP kišenės sudarymas ### 82
Page 1 and 2:
Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4:
R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7:
ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 8 and 9:
ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologi
Page 10 and 11:
ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15:
1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17:
1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 20 and 21:
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 22 and 23:
Page 24 and 25:
Page 26 and 27:
Page 28 and 29:
Page 30 and 31:
Page 32 and 33: 2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 60 and 61: 3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 72 and 73: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 132 and 133:
6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 134 and 135:
Page 136 and 137:
Page 138 and 139:
Page 140 and 141:
Page 142 and 143:
Page 144 and 145:
APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147:
PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149:
PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151:
PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?