mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...

6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ
diffuse time=10 temperature=1100 wetO2 press=2
hcl=3
Gauname 0,38 µm storio oksidą, kurį po to dengiame fotorezistu
centrifugoje. Joje dėl išcentrinių jėgų fotorezistas ant lygaus
paviršiaus pasklinda plonu 0,5 mm vienodo storio sluoksniu.
Plokštelės su SiO 2
sluoksniu dengimas fotorezistu yra toks:
# Fotorezisto AZ1250J sluoksnio formavimas
deposit name.resist=AZ1350J thickness=0.5 div=10
Po to fotolitografijos technologiname procese turėtų būti
vykdomos tokios technologinės operacijos: fotorezisto džiovinimas,
eksponavimas, kaitinimas, ryškinimas ir kietinimas.
Siekiant supaprastinti rašomą programinį kodą, fotolitografijos
procesas pakeičiamas Athena paprogramėje naudojamu geometriniu
ėsdinimu. Šio ėsdinimo metu yra pašalinamas koordinačių
taškais nurodytas fotorezisto plotas. Fotorezisto geometrinio ėsdinimo
programinis kodas yra toks:
# Anga paslėptam n+ sluoksniui suformuoti
etch name.resist=AZ1350J start x=6.0 y=-0.8
etch cont x=6.0 y=-0.2
etch cont x=18.0 y=-0.2
etch done x=18.0 y=-0.8
Fluoro rūgštimi HF yra ėsdinamas SiO 2
, naudojant kaip
priedą amonio floridą NH 4
F ėsdinimo kokybei pagerinti. Tokio
ėsdiklio selektyvumas fotorezisto atžvilgiu yra labai didelis –
daugiau kaip 100. Izotropinio ėsdinimo, kai selektyvumas fotorezistas:
SiO 2
= 1:100, ėsdinimo programinis kodas yra toks:
# Medžiagų ėsdinimo greičio nustatymas
rate.etch machine=HF wet.etch name.resist=AZ1350J
n.m isotropic=1
rate.etch machine=HF wet.etch oxide n.m isotro-
123