mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ etch cont x=8.0 y=-4.8 etch cont x=13.0 y=-4.8 etch done x=13.0 y=-5.4 # Medžiagų ėsdinimo greičio nustatymas rate.etch machine=HF wet.etch name.resist=AZ1350J n.m isotropic=1 rate.etch machine=HF wet.etch oxide n.m isotropic=100 # Ėsdinimo laiko nustatymas etch machine=HF time=5 min # Pašalinamas likęs fotorezisto sluoksnis etch name.resist=AZ1350J all # Atliekamas boro priemaišų įterpimas diffusion time=10 temp=1100 c.boron=3e19 # Atliekamas boro priemaišų perskirstymas diffusion time=15 temp=1200 dryo2 press=1 hcl=2 # Nuėsdinamas likęs SiO 2 sluoksnis etch oxide all Emiterio ir kolektoriaus n+ sričių formavimas. Ketvirtosios fotolitografijos metu formuojamos angos emiterio difuzijai ir kolektoriaus varžai sumažinti. n+ emiteris gaunamas vienstadijinę fosforo difuziją atliekant oksiduojančioje aplinkoje 5 minutes, esant 1000 ºC temperatūrai. Emiterio sluoksnio siektini orientaciniai parametrai: gylis – apie 0,7–0,8 mm, paviršinė varža R sE – 8–10 W/□, paviršinė koncentracija N 0E – apie 1,5…2,0×10 20 cm -3 . Šio etapo programinis kodas yra toks: # Terminis oksidavimas drėgname deguonyje diffuse time=10 temperature=1100 wetO2 press=2 127
6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ hcl=3 # Fotorezisto AZ1250J sluoksnio formavimas deposit name.resist=AZ1350J thickness=0.5 div=10 # Fotoreziste suformuojama anga emiterio legiravimui etch name.resist=AZ1350J start x=8.0 y=-5.2 etch cont x=8.0 y=-4.6 etch cont x=9.0 y=-4.6 etch done x=9.0 y=-5.2 # Fotoreziste suformuojama anga ominiam kolektoriaus # kontaktui sudaryti etch name.resist=AZ1350J start x=16.5 y=-5.2 etch cont x=16.5 y=-4.6 etch cont x=17.5 y=-4.6 etch done x=17.5 y=-5.2 # Medžiagų ėsdinimo greičio nustatymas rate.etch machine=HF wet.etch name.resist=AZ1350J n.m isotropic=1 rate.etch machine=HF wet.etch oxide n.m isotropic=100 # Ėsdinimo laiko nustatymas etch machine=HF time=5 min # Pašalinamas likęs fotorezisto sluoksnis etch name.resist=AZ1350J all # Atliekamas fosforo priemaišų įterpimas diffusion time=5 temp=1000 c.phos=1e21 128
Page 1 and 2:
Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4:
R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7:
ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 8 and 9:
ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologi
Page 10 and 11:
ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15:
1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17:
1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 20 and 21:
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 22 and 23:
Page 24 and 25:
Page 26 and 27:
Page 28 and 29:
Page 30 and 31:
Page 32 and 33:
Page 34 and 35:
Page 36 and 37:
Page 38 and 39:
Page 40 and 41:
Page 42 and 43:
Page 44 and 45:
Page 46 and 47:
Page 48 and 49:
Page 50 and 51:
Page 52 and 53:
Page 54 and 55:
Page 56 and 57:
Page 58 and 59:
Page 60 and 61:
3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 62 and 63:
Page 64 and 65:
Page 66 and 67:
Page 68 and 69:
Page 70 and 71:
Page 72 and 73:
4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75:
4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 76 and 77:
Page 78 and 79: 5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 122 and 123: 6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 144 and 145: APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147: PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149: PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151: PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?