mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...

6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ
grafijos metu ėsdiname angas tose vietose, kuriose bus atliekama
dviejų stadijų boro difuzija. Pirmoji boro difuzija – priemaišų
įterpimas, esant 1100 ºC temperatūrai, 10 minučių, o antroji –
priemaišų perskirstymas, esant 1200 ºC temperatūrai, sauso deguonies
atmosferoje. Antrosios stadijos trukmė parenkama taip,
kad boro priemaišos prasiskverbtų per visą epitaksinio sluoksnio
storį. Taip n laidumo kolektorinė sritis izoliuojama p+ laidumo
sritimis. Šio etapo programinis kodas yra toks:
# Terminis oksidavimas drėgname deguonyje
diffuse time=10 temperature=1100 wetO2 press=2
hcl=3
# Fotorezisto AZ1250J sluoksnio formavimas
deposit name.resist=AZ1350J thickness=0.5 div=10
# Fotoreziste atidaromos angos izoliuotai sričiai
# suformuoti: kairioji anga
etch name.resist=AZ1350J start x=0.0 y=-5.6
etch cont x=0.0 y=-5.0
etch cont x=0.5 y=-5.0
etch done x=0.5 y=-5.6
# Fotoreziste atidaromos angos izoliuotai sričiai
# suformuoti: dešinioji anga
etch name.resist=AZ1350J start x=23.5 y=-5.6
etch cont x=23.5 y=-5.0
etch cont x=24.0 y=-5.0
etch done x=24.0 y=-5.6
# Medžiagų ėsdinimo greičio nustatymas
rate.etch machine=HF wet.etch name.resist=AZ1350J
n.m isotropic=1
125