mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...

3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINĖS SEKOS
Fotolitografijų, terminio oksido ir kitų dielektrikų dengimo
bei metalizacijos technologinės operacijos aprašytos 2 skyriuje.
Šiame skyriuje išskirsime būdingus dvipolių tranzistorių technologinius
procesus: paslėptojo sluoksnio formavimą, epitaksinio
sluoksnio auginimą, sandūrinę izoliaciją, tranzistoriaus bazės,
emiterio ir kolektoriaus n+ sričių legiravimą.
3.1 lentelėje yra būdingi dvipolių tranzistorių legiruotų sričių
parametrai, o 3.3 paveiksle – priemaišų profilis ir gylis.
Silicio plokštelės parinkimas. Silicio plokštelės kristalografinės
gardelės orientacija (100) ar (111) dvipoliams tranzistoriams
nesvarbi, nes pn sandūros formuojamos didesniuose gyliuose ir
tranzistoriaus srovės, veikos įtampos yra tūrinės, o ne paviršinės,
kaip MOP tranzistoriams. Sumažėję reikalavimai ir savitajai
plokštelės varžai ρ, kuri tipiškai yra lygi 10 W×cm.
3.1 lentelė. Dvipolių tranzistorių legiruotų sričių parametrai
Sritis
Paviršinė varža,
Ω/□
Sandūros gylis, µm Koncentracija, cm -3
Paslėptasis sluoksnis 20...50 1,0...3,0 1...8×10 19
Epitaksija 2...5×10 3 X e
= 1,0...5,0 5...10×10 15
Sandūrinė izoliacija 5...10 X e
+ 1,0 10 19
Bazė 200...500 0,4...1,5 0,5...5×10 18
Emiteris 2...10 0,2...0,8 1...10×10 20
Bazės p+ 50...75 0,5...2,0 1...5×10 19
Gilus kolektorius 2...10 X e
1...10×10 20
60