mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ<br />
rate.etch machine=Al_Etch material=AZ1350J n.m rie<br />
directional=50.0<br />
rate.etch machine=Al_Etch aluminum n.m rie directional=150.0<br />
etch machine=Al_Etch time=3.5 minutes<br />
# Likusio fotorezisto pašalinimas<br />
etch name.resist=AZ1350J all<br />
# Gautos struktūros saugojimas<br />
structure outfile=lithography_13.str<br />
# Gautos struktūros atvaizdavimas<br />
tonyplot -st lithography_13.str -set settings.set<br />
Antroji metalizacija. Suformavus pirmojo aliuminio kontaktus,<br />
plokštelė dengiama antruoju tarpsluoksniniu BPSG<br />
dielektriku, kurio storis yra 1 µm. Šis dielektriko sluoksnis vėl<br />
chemiškai-mechaniškai poliruojamas. Po to keturioliktosios fotolitografijos<br />
metu išėsdintos tarpsluoksninių kontaktų angos<br />
vėl dengiamos TiN ir W sluoksniais, kurie taip pat poliruojami.<br />
Padengus antruoju Al sluoksniu, vykdoma penkioliktoji fotolitografija,<br />
kurios metu suformuojami antrosios metalizacijos sujungimai.<br />
Šių procesų programinis kodas yra toks:<br />
# Antrasis tarpsluoksninis dielektrikas: LPCVD BPSG<br />
rate.depo machine=BPSG_LPCVD material=BPSG n.m cvd<br />
dep.rate=200 step.cov=1.0<br />
deposit machine=BPSG_LPCVD time=5 minutes divis=10<br />
# Cheminis-mechaninis poliravimas<br />
rate.polish oxide machine=CMP u.s max.hard=.15 min.<br />
hard=.03 isotropic=0.002<br />
polish machine=CMP time=12 seconds<br />
### XIV fotolitografija: virš kontaktinių sričių ###<br />
108
Change language