mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...

5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ
rate.etch machine=Si3N4_Etch nitride n.m rie isotropic=20.0
etch machine=Si3N4_Etch time=5 minutes
Po Si 3
N 4
ėsdinimo fotorezisto kaukė nereikalinga ir ji pašalinama
organiniuose tirpikliuose ir koncentruotose rūgštyse („šlapiai“)
arba plazmoje („sausai“), arba viena po kitos vykdomos
fotorezisto nuėmimo sausuoju ir / arba šlapiuoju būdu operacijos.
Fotorezisto šalinimo programinis kodas yra toks:
# Likusio fotorezisto pašalinimas
etch name.resist=AZ1350J all
Po to atliekamas lokalus silicio oksidavimo procesas vandens
garuose. Kai proceso temperatūra yra lygi 1000 ºC, o trukmė
– 90 min., programinis kodas toks:
# Lokalus silicio oksidavimas
method fermi compress
diffuse time=90 temp=1000 weto2
Atlikus lokalų silicio oksidavimą, Si 3
N 4
sluoksnis pašalinamas
ir fiksuojamas gautos struktūros vaizdas (5.1 pav.):
# Likusio Si3N4 pašalinimas
etch nitride all
# Gautos struktūros saugojimas
structure outfile=lithography_1.str
# Gautos struktūros atvaizdavimas
tonyplot -st lithography_1.str -set settings.set
81