mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ<br />
expose dose=150<br />
bake time=100 sec temp=120<br />
develop mack time=90 steps=15<br />
# material material=AZ1350J gamma.reflo=2e2 reflow<br />
visc.0=1.862e-13 visc.E=1.85<br />
# bake time=10 min temp=120 reflow<br />
# Implantavimo parametrų įkėlimas<br />
moments std_tables<br />
# 100 keV energijos, 4e15 dozės arseno implantacija<br />
implant arsenic energy=100 dose=4.0e15 pearson<br />
# Likusio fotorezisto pašalinimas<br />
etch name.resist=AZ1350J all<br />
# Gautos struktūros saugojimas<br />
structure outfile=lithography_9.str<br />
# Gautos struktūros atvaizdavimas<br />
tonyplot -st lithography_9.str -set settings.set<br />
Dešimtoji fotolitografija yra analogiška devintajai, bet skirta<br />
p+ priemaišomis legiruoti PMOP tranzistoriaus ištakos (santakos)<br />
sritis 20 keV energijos ir 4×10 15 cm -2 dozės boro jonų implantacija.<br />
Toliau pateikiamas šios fotolitografijos ir implantacijos<br />
programinis kodas:<br />
### X fotolitografija: PMOP santaka ir ištaka ###<br />
deposit name.resist=AZ1350J thickness=0.5 div=1<br />
layout lay.clear x.low=0 z.low=-4.0 x.high=10.5<br />
z.high=4.0<br />
image win.x.lo=-10.5 win.x.hi=10.5 win.z.lo=-4.25<br />
win.z.hi=4.25 dx=0.05 clear<br />
expose dose=150<br />
96
Change language