mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGIJŲ YPATUMAI Kitas technologinių operacijų ciklas susijęs su pirmąja fotolitografija, būsimųjų SiO 2 tranzistorių izoliacijai ir aktyviosioms sritims formuoti. Fotolitografija yra šiuo metu labiausiai paplitęs integrinių grandynų elementų konfigūracijos gavimo būdas, kai naudojami ultravioletinių (UV) spindulių (UV: 365 nm – 436 nm), tolimojo UV (TUV: 157 nm – 250 nm) ir ekstremalaus UV (EUV: 11 nm – 14 nm) šaltiniai (2.3 lentelė). 2.3 lentelė. Apšvietimo bangos ilgiai, šviesos šaltiniai ir diapazonai Bangos ilgis, nm Šaltinis Sritis 436 Hg lankinė lempa G linija 405 Hg lankinė lempa H linija 365 Hg lankinė lempa I linija 248 Hg/Xe (ksenono) lankinė lempa, kriptono fluorido (KrF) eksimerinis lazeris Tolimasis UV (TUV) 193 Argono fluorido (ArF) eksimerinis lazeris TUV 157 Fluoro (F 2 ) lazeris Vakuuminis UV (VUV) ~10 Lazerio spinduliuotės sukurti plazmos šaltiniai Ekstremalus UV (EUV) Fotolitografijos operacijos yra tokios: 1. Puslaidininkio plokštelės paviršiaus paruošimas – cheminis ar sausas valymas, atkaitinimas (esant 150–200 °C temperatūrai, azoto atmosferoje), dažnai – specialių sluoksnių dengimas kito sluoksnio (fotorezisto) adhezijai pagerinti ir šviesos atspindžiui nuo plokštelės sumažinti. 2. Dengimas šviesai jautriu, ėsdinimui atspariu fotorezisto sluoksniu ir džiovinimas. Fotorezisto storis yra 0,5–2,0 µm. Džiovinimas vykdomas 10–30 min., esant 90–100 °C temperatūrai. 33
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGIJŲ YPATUMAI 3. Plokštelės sutapdinimas su fotošablonu (kvarcinio ar kito stiklo plokštele su reikiamu integrinio grandyno elementų piešiniu) ir jos eksponavimas. Fotošablono piešinys turi tiksliai sutapti su fotolitografijos piešiniu (leidžiami nuokrypiai yra 2.4 lentelėje). Fotorezistas lokaliai eksponuojamas (apšviečiamas) UV šviesos spinduliais, kurių bangos ilgis dažniausiai yra 193 nm. Jie praeina tik ten, kur fotošablone yra skaidrumo sritys – angos. Piešinys fotošablone perkeliamas į fotorezistą. Reikalavimai, kurie bus keliami litografijoms ateityje (pagal ITRS), pateikti 2.5 lentelėje. 2.4 lentelė. Reikalavimai litografijoms Pirmieji DRAM gamybos metai 2009 2012 DRAM bitai luste 64 G 256 G Minimalūs elementų matmenys, nm Izoliuotos struktūros MPU, nm 50 35 Sutankintos struktūros DRAM, nm 70 50 Kontaktai, nm 80 60 Užtūros matmenų nuokrypis (3σ), nm 5 4 Sutapdinimas (vidurkis + 3σ), nm 25 20 Fokusavimo gylis, µm 0,5 0,5 Defektų tankis (sluoksnis/m 2 ) 40 30 Kritinis defektų dydis, nm 20 15 DRAM lusto dydis, mm 2 1120 1580 MPU lusto dydis, mm 2 620 750 Eksponuojamojo lauko dydis, mm 25×44 25×52 Eksponavimo technologija (TUV imersija) 193 nm 157 nm Mažiausias kaukių skaičius 26/28 28 4. Fotorezisto kaitinimas po eksponavimo. Temperatūra yra 100 °C ar 120 °C, o operacijos trukmė atitinkamai yra 500–600 s ir 100 s. Taip sumažiname ar visai pašaliname dėl stovinčių bangų efekto gautus eksponuoto fotorezisto 34
Page 1 and 2: Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4: R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7: ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 8 and 9: ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologi
Page 10 and 11: ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13: 1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15: 1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17: 1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19: 1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 20 and 21: 2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 60 and 61: 3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 72 and 73: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 84 and 85:
5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 86 and 87:
Page 88 and 89:
Page 90 and 91:
Page 92 and 93:
Page 94 and 95:
Page 96 and 97:
Page 98 and 99:
Page 100 and 101:
Page 102 and 103:
Page 104 and 105:
Page 106 and 107:
Page 108 and 109:
Page 110 and 111:
Page 112 and 113:
Page 114 and 115:
Page 116 and 117:
Page 118 and 119:
Page 120 and 121:
Page 122 and 123:
6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 124 and 125:
Page 126 and 127:
Page 128 and 129:
Page 130 and 131:
Page 132 and 133:
Page 134 and 135:
Page 136 and 137:
Page 138 and 139:
Page 140 and 141:
Page 142 and 143:
Page 144 and 145:
APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147:
PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149:
PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151:
PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?