mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ azoto rūgščių priedai. Al ėsdinimo greitis yra apie 550–600 nm/ min., kai ėsdiklio tirpalo sudėtis yra 80 % H 3 PO 4 , 5 % HNO 3 , 5 % CH 3 COOH ir 10 % dejonizuoto H 2 O, o temperatūra – 60 ºC. Po to, pašalinus fotorezistą, ominiams kontaktams pagerinti, esant 500 ºC temperatūrai, atliekamas Al kontaktų atkaitinimas. Šio etapo programinis kodas yra toks: # Fotorezisto AZ1250J sluoksnio formavimas deposit name.resist=AZ1350J thickness=0.5 div=10 # Fotoreziste suformuojamos angos elektrodams etch name.resist=AZ1350J start x=10.0 y =-5.6 etch cont x=10.0 y=-4.9 etch cont x=10.75 y=-4.9 etch done x=10.75 y=-5.6 # Fotoreziste suformuojamos angos elektrodams etch name.resist=AZ1350J start x=13.75 y =-5.6 etch cont x=13.75 y=-4.9 etch cont x=15.5 y=-4.9 etch done x=15.5 y=-5.6 # Medžiagų ėsdinimo greičio nustatymas: fosforo # rūgšties tirpalas rate.etch machine=H3PO4 wet.etch name.resist=AZ1350J n.m isotropic=15 rate.etch machine=H3PO4 wet.etch aluminum n.m isotropic=550 # Ėsdinimo laiko nustatymas etch machine=H3PO4 time=1 min # Pašalinamas likęs fotorezisto sluoksnis 131
6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ etch name.resist=AZ1350J all # Nurodomas aliuminio paviršiaus įtempimas, klampumas material aluminum gamma.reflo=860 reflow visc.0=2e-17 visc.E=4.45 # Vykdomas aliuminio atkaitinimas bake time=5 min temp=500 reflow Pasyvacija. Galiausiai plokštelės paviršius pasyvuojamas: ant jo nusodinamas ištisinis silicio dioksido sluoksnis ir vykdoma pasyvacijos fotolitografija angoms integrinių grandynų išvadų kontaktams atidaryti. Šiais procesais pasibaigia Si plokštelėje formuojamų tranzistorių ir integrinių grandynų su viena metalizacija grupinis apdorojimas. Programinis kodas yra toks: # Nurodomi cheminio garų nusodinimo parametrai rate.depo machine=SiO2 oxide n.m cvd dep.rate=125 step.cov=0.80 # Nurodoma pasyvacijos vykdymo trukmė deposit mach=SiO2 time=8.0 minute div=10 # Pasyvacijos fotolitografija IG išvadų kontaktams # Fotorezisto AZ1250J sluoksnio formavimas deposit name.resist=AZ1350J thickness=0.5 div=10 # Fotoreziste suformuojama anga emiterio kontaktui etch name.resist=AZ1350J start x=0 y=-6.5 etch cont x=0 y=-5.9 etch cont x=2.0 y=-5.9 etch done x=2.0 y=-6.5 #Fotoreziste suformuojama anga kolektoriaus kontaktui 132
Page 1 and 2:
Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4:
R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7:
ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 8 and 9:
ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologi
Page 10 and 11:
ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15:
1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17:
1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 20 and 21:
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 22 and 23:
Page 24 and 25:
Page 26 and 27:
Page 28 and 29:
Page 30 and 31:
Page 32 and 33:
Page 34 and 35:
Page 36 and 37:
Page 38 and 39:
Page 40 and 41:
Page 42 and 43:
Page 44 and 45:
Page 46 and 47:
Page 48 and 49:
Page 50 and 51:
Page 52 and 53:
Page 54 and 55:
Page 56 and 57:
Page 58 and 59:
Page 60 and 61:
3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 62 and 63:
Page 64 and 65:
Page 66 and 67:
Page 68 and 69:
Page 70 and 71:
Page 72 and 73:
4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75:
4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 76 and 77:
Page 78 and 79:
Page 80 and 81:
Page 82 and 83: 5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 122 and 123: 6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 144 and 145: APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147: PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149: PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151: PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?