mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGIJŲ YPATUMAI<br />
W<br />
ID ≅ meff Cox ( VGS − VTH ) VDS<br />
,<br />
L<br />
W<br />
I ( ) 2<br />
D ≅ meff Cox VGS − VTH<br />
, (2.1)<br />
2L<br />
čia µ eff<br />
yra efektyvusis krūvininkų judris, C ox<br />
– užtūros oksido<br />
savitoji talpa, W ir L – užtūros plotis ir ilgis, V GS<br />
, V TH ir V DS – užtūros-ištakos,<br />
slenkstinė ir santakos-ištakos įtampos.<br />
Svarbus parametras, charakterizuojantis mažo signalo atsaką<br />
tranzistoriuje, yra laidis arba statumas soties srityje g m<br />
:<br />
∂<br />
g IGS C W V V<br />
V const<br />
( )<br />
D<br />
ox<br />
m = = meff GS − TH<br />
∂V<br />
L<br />
DS=<br />
. (2.2)<br />
Vienpoliams tranzistoriams ribinis f T<br />
ir maksimalus f max<br />
dažnai<br />
apskaičiuojami iš formulių:<br />
f<br />
T<br />
g V<br />
= =<br />
2π 2π L<br />
, (2.3)<br />
m<br />
Cgs<br />
{ 2[( ) / 2 ]<br />
1/2<br />
}<br />
f = f R + R + R R + π f RC , (2.4)<br />
max T gs s g ds T g gd<br />
čia C gs<br />
, C gd<br />
– atitinkamai užtūros-ištakos ir užtūros-santakos<br />
talpos; R g<br />
, R gs<br />
, R s<br />
, R ds<br />
– atitinkamai užtūros metalizacijos, užtūros-ištakos,<br />
užtūros-santakos, santakos-ištakos varžos; V – vidutinis<br />
elektronų dreifo greitis.<br />
Projektuojant greitaveikius tranzistorius, bendriausi jiems<br />
keliami reikalavimai yra mažinti varžas ir talpas, ypač užtūros, o<br />
kartu užtūros ilgį ir atstumus tarp ištakos bei užtūros ir ištakos bei<br />
santakos.<br />
21
Change language