mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ<br />
### VII fotolitografija: NMOP palegiravimas ###<br />
deposit name.resist=AZ1350J thickness=0.5 div=10<br />
layout lay.clear x.low=-10.5 z.low=-4.0 x.high=0.0<br />
z.high=4.0<br />
image win.x.lo=-10.5 win.x.hi=10.5 win.z.lo=-4.25<br />
win.z.hi=4.25 dx=0.05 clear<br />
expose dose=150<br />
bake time=100 sec temp=120<br />
develop mack time=90 steps=15<br />
# material material=AZ1350J gamma.reflo=2e2 reflow<br />
visc.0=1.862e-13 visc.E=1.85<br />
# bake time=10 min temp=120 reflow<br />
# Implantavimo parametrų įkėlimas<br />
moments std_tables<br />
# 10 keV energijos, 5e13 dozės fosforo implantacija<br />
implant phosphor energy=10 dose=5.0e13 pearson<br />
# Likusio fotorezisto pašalinimas<br />
etch name.resist=AZ1350J all<br />
# Gautos struktūros saugojimas<br />
structure outfile=lithography_7.str<br />
# Gautos struktūros atvaizdavimas<br />
tonyplot -st lithography_7.str -set settings.set<br />
Aštuntosios fotolitografijos paskirtis yra pridengti prieš tai<br />
buvusią atvirą NMOP tranzistoriaus santakos / ištakos sritį, nes<br />
po jos bus vykdomas PMOP tranzistoriaus santakos ir ištakos<br />
silp nas palegiravimas per fotoreziste suformuotas angas boro<br />
jonų implantacija. Dozė yra lygi 5×10 13 cm -2 , o boro jonų energi-<br />
92
Change language