mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGIJŲ YPATUMAI klais. Dažnai kaip tarpsluoksninis dielektrikas yra naudojamas boro-fosforosilikatinis stiklas (B 2 O 3 ) l (P 2 O 5 ) m (SiO 2 ) n (angl. n p p+ p+ n+ n+ n sritis p sritis 2.18 pav. Si plokštelė po TiN ėsdinimo santakų, ištakų ir užtūrų kontaktams borophosphosilicate glass, (BPSG). 1 µm storio BPSG sluoksnis gaunamas žemame slėgyje, chemiškai nusodinant iš dujinės fazės per trumpą laiką – apie 5–10 min. Po visų ankstesnių operacijų plokštelės paviršius būna nelygus, todėl vykdomas, kaip ir U tipo izoliacijos sričių formavimo metu, vadinamasis CMP cheminio-mechaninio poliravimo procesas, kai plokštelės šlifuojamos, poliruojamos naudojant suspensijas su vis mažesnių matmenų abrazyvais, o po to atliekamas cheminis-dinaminis poliravimas, kai plokštelių paviršius ėsdinamas azoto, fluoro ir acto rūgščių mišiniu. Tokiu būdu planarizuojamas BPSG sluoksnio paviršius. Si plokštelė po BPSG cheminio-mechaninio poliravimo pavaizduota 2.19 paveiksle. Dvyliktosios fotolitografijos metu fotoreziste suformuojamos angos virš ištakos, santakos ir užtūros kontaktinių sričių (2.20 pav.). Po to atliekamas BPSG sluoksnio plazminis ėsdinimas, dažniausiai naudojant C 4 F 8 /CO/Ar/O 2 reagentus. Šio ėsdini- p 53
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGIJŲ YPATUMAI mo selektyvumas TiN ir fotorezisto atžvilgiu yra didelis ir lygus atitinkamai 30 ir 50. Pašalinus fotorezistą, plokštelės paviršių dengia 50 nm storio TiN barjeriniu sluoksniu ir 200 nm storio W kaištiniu sluoksniu aprašytais būdais. Vėl atliekamas CMP procesas, cheminis-mechaninis poliravimas, ir nuo plokštelės paviršiaus pašalinami W ir TiN sluoksniai, paliekant juos tik SiO 2 išėsdintose tranzistorių elektrodų (kontaktų) angose. Po CMP gautas lygus paviršius dengiamas 0,5 µm storio pirmojo metalo aliuminio (Al) sluoksniu, taip pat dulkinant jonų bombardavimu. n p p+ p+ n+ n+ n sritis p sritis 2.19 pav. Si plokštelė, atlikus BPSG sluoksnio cheminį-mechaninį poliravimą p 54
Page 1 and 2:
Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4: R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7: ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 8 and 9: ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologi
Page 10 and 11: ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13: 1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15: 1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17: 1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19: 1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 20 and 21: 2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 60 and 61: 3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 72 and 73: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 104 and 105:
5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 106 and 107:
Page 108 and 109:
Page 110 and 111:
Page 112 and 113:
Page 114 and 115:
Page 116 and 117:
Page 118 and 119:
Page 120 and 121:
Page 122 and 123:
6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 124 and 125:
Page 126 and 127:
Page 128 and 129:
Page 130 and 131:
Page 132 and 133:
Page 134 and 135:
Page 136 and 137:
Page 138 and 139:
Page 140 and 141:
Page 142 and 143:
Page 144 and 145:
APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147:
PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149:
PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151:
PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?