mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGIJŲ YPATUMAI<br />
gali riboti lęšio matmenys ir šviesą praleidžianti anga. Taigi θ iš<br />
esmės yra difragavusios lęšio šviesos surinkimo gebos matas. Šį<br />
parametrą Ernstas Karlas Abbe (Ernst Karl Abbe) pavadino skaitine<br />
apertūra (Numerical Aperture – NA):<br />
NA = n ⋅sin(Θ),<br />
tai (2.7)<br />
A =⋅n<br />
sin(<br />
0,61⋅<br />
k1λ<br />
SG = λ = n NA<br />
⋅sin(Θ)<br />
. (2.8)<br />
Formulė (2.6) išvesta, remiantis Fraunhoferio difrakcija, ir<br />
aprašo tik taškinius šviesos šaltinius. Todėl koeficientas 0,61 dažnai<br />
pakeičiamas bendresniu koeficientu k 1<br />
(2.8) formulėje.<br />
Objektyvo ryškumo gylis<br />
λ<br />
λ<br />
OF = δ =± =± k<br />
2 2 . (2.9)<br />
2<br />
2( NA) ( NA)<br />
Koeficientas 1/2 dažnai pakeičiamas koeficientu k 2<br />
(2.9) formulėje,<br />
nes koeficientas 1/2 būdingas Dž. Relėjaus pasiūlytam<br />
objektyvo skiriamosios gebos skaičiavimui, bet neįvertina praktinių<br />
parametrų, pvz., fotorezistų priklausomybių.<br />
Projekcinės optikos bazinės vertės pateiktos 2.6 lentelėje.<br />
Naudojamos papildomos techninės „gudrybės“, tokios kaip<br />
neašinis apšvietimas, kad skiriamoji geba būtų mažesnė. Be to,<br />
dar geresni rezultatai gaunami dėl sudėtingos fotošablonų konstrukcijos,<br />
kuri remiasi optinio artimumo korekcija, ir naudojant<br />
paslinktos fazės fotošablonus. Objektyvo ryškumo gylis derinamas<br />
su fotorezisto sluoksnio storiu, todėl reikia labai plokščio paviršiaus<br />
ir itin tikslios sistemos, leidžiančios išlaikyti sufokusuotą<br />
vaizdo plokštumą, kai reguliuojamas atstumas tarp plokštelės<br />
ir lęšio.<br />
37