mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ ### Titano silicido formavimas ### # Plono SiO2 oksido sluoksnio nuėsdinimas etch oxide dry thick=0.008 # 100 nm Ti sluoksnio joninis dulkinimas rate.depo machine=Ti_Sputtering titanium n.m hemisphe sigma.dep=0.20 dep.rate=20 angle1=90.00 angle2=-90.00 deposit machine=Ti_Sputtering time=5 minutes divis=10 #1min kaitinimas 600°C temperatūroje, TiSi2 sudarymas meth fermi grid.sil=0.1 init.time=1e-08 diffuse time=1 temperature=600 nitro TiN sluoksnio gavimo modeliavimas atliekamas tokia seka: etch titanium all rate.depo machine=TiN material=TiN n.m hemisphe sigma.dep=0.20 dep.rate=20 angle1=90.00 angle2=-90.00 deposit machine=TiN time=4.5 minutes divis=10 Reikia pastebėti, kad toks 100 nm storio TiN sluoksnio gavimo modeliavimas neatitinka aprašytos realios technologinių operacijų sekos, bet gerai tinka tolesnėms operacijoms analizuoti. Suformavus TiSi 2 ominį kontaktą, atliekama vienuoliktoji fotolitografija suformuoti angoms, per kurias bus ėsdinamas TiN sluoksnis, formuojant ištakų, santakų ir polikristalinio silicio užtūrų kontaktus. Šios fotolitografijos programinis kodas pateiktas apačioje: ### XI fotolitografija: elektrodų formavimas ### deposit name.resist=AZ1350J thickness=0.5 div=10 99
5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ layout lay.clear x.low=-10.5 z.low=-4.0 x.high=-6.3 z.high=4.0 layout x.low=-3.7 z.low=-4.0 x.high=3.7 z.high=4.0 layout x.low=6.3 z.low=-4.0 x.high=10.5 z.high=4.0 image win.x.lo=-10.5 win.x.hi=10.5 win.z.lo=-4.25 win.z.hi=4.25 dx=0.05 clear optical material=TiN h.line refrac.real=1.4 refrac.imag=0.3 expose dose=150 bake time=100 sec temp=120 develop mack time=90 steps=15 # material material=AZ1350J gamma.reflo=2e2 reflow visc.0=1.862e-13 visc.E=1.85 # bake time=10 min temp=120 reflow Atlikus vienuoliktąją fotolitografiją, plonas 100 nm TiN sluoksnis ėsdinamas amoniako peroksido tirpalu (NH 4 OH:H 2 O 2 :H 2 O), kurio sudėtis atitinkamai yra 1:1:5. Šis ėsdiklis pasižymi dideliu selektyvumu TiSi 2 ir SiO 2 atžvilgiu, o jo ėsdinimo greitis, esant 60 °C temperatūrai, yra apie 50 nm/min. TiN sluoksnio ėsdinimo programinis kodas yra toks: # TiN sluoksnio ėsdinimas amoniako peroksido tirpalu rate.etch machine=TiN_Etch material=AZ1350J n.m rie directional=2.5 rate.etch machine=TiN_Etch material=TiN n.m rie isotropic=50 directional=50 rate.etch machine=TiN_Etch oxide n.m rie directional=3.5 etch machine= TiN_Etch time=2.5 minutes 100
Page 1 and 2:
Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4:
R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7:
ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 8 and 9:
ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologi
Page 10 and 11:
ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15:
1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17:
1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 20 and 21:
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 22 and 23:
Page 24 and 25:
Page 26 and 27:
Page 28 and 29:
Page 30 and 31:
Page 32 and 33:
Page 34 and 35:
Page 36 and 37:
Page 38 and 39:
Page 40 and 41:
Page 42 and 43:
Page 44 and 45:
Page 46 and 47:
Page 48 and 49:
Page 50 and 51: 2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 60 and 61: 3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 72 and 73: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 144 and 145: APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147: PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149: PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151:
PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?