mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologijos galima suprasti kaip mokėjimo, meistriško darbo atlikimo su „nykštukais“ – labai mažų matmenų objektais – mokslą. Dažnai žodis nanotechnologija vartojamas kaip sudėtinis terminas kalbant apie įvairias nanomokslų ir nanotechnologijų šakas. Bendriausia prasme nanotechnologija vadinama bet kokia mokslo sritis, kur tiriami įtaisai, objektai, kurių matmenys yra mažesni nei 100 nm ir kur toks matmenų dydis yra kritinis įtaisui ar objektui taikyti. Pagal tarptautinės puslaidininkių organizacijos nurodymus (ITRS), KMOP integrinių grandynų technologijoms nustatoma plėtros sparta ir tikslai, identifikuojami nauji technologijų etapai, „mazginiai taškai“, kurie bus vykdomi kas trejus metus. Technologijos etapas (mazgas) – įprasto išdėstymo, topologijos metalu padengto vidinio sujungimo minimalus pusžingsnis (t. y. su išdėstytais kontaktais ir (arba) angomis) yra geriausiai atspindintis technologijos galimybes parametras, gaminant didelio tankio integrinius grandynus (1 pav.). Jis yra parinktas apibrėžti ITRS technologijos etapą ir gali būti paimtas iš bet kurio gaminio, turinčio minimalią vertę. Dabar jis paimtas iš dinaminės atmintinės (DRAM), nes istoriškai DRAM buvo mažiausias metalo žingsnis, bet ateityje jis galėtų būti pakeistas kito gaminio sujungimų žingsniu. 7
ĮVADAS DRAM ½ žingsnio = DRAM metalo žingsniui/2 Metalo žingsnis MPU/ASIC polikristalinio silicio ½ žingsnio = MPU/ ASIC polikristalinio silicio žingsniui/2 Polikristalinio silicio žingsnis MPU/ASIC M1 ½ žingsnio = MPU/ASIC M1 žingsniui/2 Metalo 1 (M1) žingsnis Tipinė DRAM metalo bito linija Tipinis MPU/ASIC nekontaktinis polikristalinis silicis Tipinis MPU/ASIC kontaktų metalas 1 1 pav. Technologijos etapams apibrėžti: DRAM – dinaminės atmintinės, MPU – mikroprocesoriai, ASIC – specialios paskirties integriniai grandynai Kiti parametrai taip pat yra svarbūs charakterizuojant integrinio grandyno technologiją, pvz., mikroprocesorių (MPU) faktinis užtūros ilgis geriausiai atspindi moderniausią technologijos lygį, reikalingą maksimaliam dažniui gauti. Kiekvienas technologijos etapas vaizduoja reikšmingą technologijos pažangą – vidutiniškai 70 % nuo ankstesnio („senesnio“) mazgo. Europos nanoelektronikos technologinė platforma ENIAC sumažino iki dvejų metų laikotarpius tarp etapų pagal darbo sritį „Daugiau už Murą“ (žr. 2 lentelę). Šios metodinės priemonės tikslas yra išmokyti analizuoti ir modeliuoti mikroschemų technologinius procesus ir jų sekas bei argumentuotai parinkti sprendimus dirbant savarankiškai arba grupėje. Kursinio projekto metu pagilinamos ir įtvirtinamos elektroninių įtaisų projektavimo žinios apie mikroschemų gamybos technologijų pagrindinius procesus (silicio epitaksiją, 8
Page 1 and 2: Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4: R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7: ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 10 and 11: ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13: 1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15: 1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17: 1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19: 1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 20 and 21: 2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 58 and 59:
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 60 and 61:
3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 62 and 63:
Page 64 and 65:
Page 66 and 67:
Page 68 and 69:
Page 70 and 71:
Page 72 and 73:
4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75:
4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 76 and 77:
Page 78 and 79:
Page 80 and 81:
Page 82 and 83:
Page 84 and 85:
Page 86 and 87:
Page 88 and 89:
Page 90 and 91:
Page 92 and 93:
Page 94 and 95:
Page 96 and 97:
Page 98 and 99:
Page 100 and 101:
Page 102 and 103:
Page 104 and 105:
Page 106 and 107:
Page 108 and 109:
Page 110 and 111:
Page 112 and 113:
Page 114 and 115:
Page 116 and 117:
Page 118 and 119:
Page 120 and 121:
Page 122 and 123:
Page 124 and 125:
Page 126 and 127:
Page 128 and 129:
Page 130 and 131:
Page 132 and 133:
Page 134 and 135:
Page 136 and 137:
Page 138 and 139:
Page 140 and 141:
Page 142 and 143:
Page 144 and 145:
APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147:
PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149:
PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151:
PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?