mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ mosios aliuminio metalizacijos ir pasyvacijos. Tranzistoriaus pagrindiniai konstrukciniai parametrai pateikiami toliau. 6.3 pav. Dvipolio n+pn tranzistoriaus išėjimo charakteristika Silicio plokštelės kristalografinė orientacija – (100), legiruota boru, o savitoji varža – ρ = 10 W×cm. Silicio epitaksinis sluoksnis yra 5 µm storio, n tipo ir jo paviršinė koncentracija N D = 5×10 15 cm -3 . Emiterio gylis apytikriai lygus X jE ≈ 0,8 µm, bazės – X jB ≈ 1,6 µm, o paslėptojo sluoksnio (kolektoriaus) – X jC ≈ 6,5 µm, o paviršinės varžos atitinkamai R sE = 9,1 W/□, R sB = 294 W/□ ir kolektoriaus kontakto R sC = 6,5 W/□, o paviršinės koncentracijos N 0E ≈ 1,9×10 20 cm -3 , N 0B ≈ 4,7×10 18 cm -3 ir N 0C ≈ 1,8×10 20 cm -3 . 141
APIBENDRINIMAS Apibendrinimas Išnagrinėti vienpolių planariųjų silicio KMOP tranzistorių gamybos technologijų ypatumai, tipinės vienpolių n ir p tipo kanalų tranzistorių gamybos technologinių operacijų sekos ir technologinių procesų parametrai. Remiantis savaime susitapdinančios polikristalinio silicio užtūros technologija, silicio planariųjų KMOP tranzistorių technologinių procesų modeliavimas aprašytas taikant 16 fotolitografijų, 3 metalų lygius ir per 100 technologinių operacijų: 1,0 µm minimalaus matmens projekcinę fotolitografiją, terminį oksidavimą sausame ir / arba šlapiame deguonyje, žemo slėgio cheminio nusodinimą iš garų fazės SiO 2 , Si 3 N 4 ir polikristalinio silicio, borosilikatinių stiklų sluoksnių dengimą, dielektrinių ir metalo sluoksnių plazminius ėsdinimo būdus, boro, fosforo ir arseno jonų implantaciją ir terminį priemaišų perskirstymą, Ti, TiS 2 , TiN, W ir Al metalo sluoksnių formavimą ir cheminį-mechaninį poliravimą paviršiaus reljefui išlyginti. Rezultatai gauti naudojant Silvaco Athena programų rinkinį, o įtaisų voltamperinių charakteristikų tyrimas atliktas taikant Atlas programų rinkinį. Pateikti jiems modeliuoti skirti Athena ir Atlas programiniai kodai ir jų paaiškinimai. Taip pat išanalizuotos tipinės dvipolių tranzistorių gamybos sekos ir taikomi pagrindinių technologinių procesų: paslėptojo sluoksnio, epitaksijos, bazės difuzijos arba jonų implantacijos, emiterio legiravimo ir kt. parametrai. Dvipolių tranzistorių gamybos technologinių procesų projektavimas ir analizė atlikta epitaksiniam planariniam n+pn tranzistoriui su sandūrine izoliacija naudojant tik 7 fotolitografijas: 142
Page 1 and 2:
Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4:
R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7:
ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 8 and 9:
ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologi
Page 10 and 11:
ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15:
1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17:
1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 20 and 21:
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 22 and 23:
Page 24 and 25:
Page 26 and 27:
Page 28 and 29:
Page 30 and 31:
Page 32 and 33:
Page 34 and 35:
Page 36 and 37:
Page 38 and 39:
Page 40 and 41:
Page 42 and 43:
Page 44 and 45:
Page 46 and 47:
Page 48 and 49:
Page 50 and 51:
Page 52 and 53:
Page 54 and 55:
Page 56 and 57:
Page 58 and 59:
Page 60 and 61:
3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 62 and 63:
Page 64 and 65:
Page 66 and 67:
Page 68 and 69:
Page 70 and 71:
Page 72 and 73:
4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75:
4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 76 and 77:
Page 78 and 79:
Page 80 and 81:
Page 82 and 83:
Page 84 and 85:
Page 86 and 87:
Page 88 and 89:
Page 90 and 91:
Page 92 and 93: 5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 122 and 123: 6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 144 and 145: APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147: PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149: PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151: PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?