mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...

2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGIJŲ YPATUMAI
Iš formulės (2.10) matyti, kad fotorezisto jautris šviesai
priklauso nuo eksponavimo trukmės. Pasirinkus šį laiką per
mažą arba per didelį, gaunami įvairūs fotolitografijos defektai.
Praktikoje labai svarbu kuo tiksliau žinoti fotorezistų dydžius S
arba H. Antra vertus, jautris yra matuojamas mJ/cm 2 ir senesniems
g linijos ir i linijos fotorezistams buvo lygus apytiksliai
100 mJ/cm 2 . Naujesni TUV fotorezistai paprastai pasiekia
20–40 mJ/cm 2 jautrį, nes jų jautris šviesai yra chemiškai didesnis.
Labai didelio jautrio fotorezistai dažnai nestabilūs, esant
nedideliems temperatūros svyravimams bei statistiniams parametrų
pokyčiams eksponavimo metu. Paprastai didesnis kontrastas
yra gaunamas, kai jautris yra mažesnis. Bet vis dėlto
sukurti nauji TUV chemiškai pajautrinti fotorezistai yra ir didesnio
jautrio, ir didesnio kontrasto negu senesni g linijos ir i
linijos fotorezistai.
Akivaizdu, kad fotorezistų skiriamoji geba yra svarbi.
Fotorezisto skiriamoji geba – tai minimalus elemento matmuo
arba maksimalus vienodo pločio elementų su vienodais tarpais
tarp jų skaičius 1 mm atkarpoje (dažnai sakoma – minimalus linijos
plotis arba maksimalus linijų skaičius).
Fotorezistų skiriamajai gebai nustatyti naudojami specialūs
testiniai fotošablonai, kuriuose yra įvairių pločių elementų, pvz.,
1000, 500, 350, 250, 130, 90, 65, 45 ir 32 nm juostelių, kvadratų ir
pan.
Skiriamoji geba G gali būti apskaičiuojama taip:
1000
G = , (2.11)
2 ⋅l
čia l – minimalus gauto elemento matmuo, µm. Pvz., jeigu G =
5000 mm –1 , tai reiškia, kad galima gauti minimalų elemento plotį,
lygų 0,1 µm, t. y. 1 mm suformuoti 5000 tokių elementų.
39