mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ 5.6 pav. Si plokštelė, atlikus BPSG sluoksnio cheminį-mechaninį poliravimą Po to atliekamas BPSG sluoksnio plazminis ėsdinimas, naudojant C 4 F 8 /CO/Ar/O 2 reagentus. BPSG plazminio ėsdinimo, kai selektyvumas TiN ir fotorezisto atžvilgiu atitinkamai yra 30 ir 50, programinis kodas pateikiamas čia: # Sausas, anizotropinis BPSG ėsdinimas rate.etch machine=BPSG_Etch material=AZ1350J n.m rie directional=1.4 rate.etch machine=BPSG_Etch material=BPSG n.m rie directional=70 rate.etch machine=BPSG_Etch material=TiN n.m rie directional=2.3 etch machine=BPSG_Etch time=14.5 minutes 103
5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ # Likusio fotorezisto pašalinimas etch name.resist=AZ1350J all # Gautos struktūros saugojimas structure outfile=lithography_12.str # Gautos struktūros atvaizdavimas tonyplot -st lithography_12.str -set settings.set Atlikus anksčiau aprašytas operacijas, plokštelės paviršius dengiamas 50 nm storio TiN barjeriniu sluoksniu, kurio nusodinimą dulkinant jonų bombardavimu pateikiame čia: # TiN barjerinio sluoksnio dengimas rate.depo machine=TiN_Sputtering material=TiN n.m hemisphe sigma.dep=0.20 dep.rate=10 angle1=90.00 angle2=-90.00 deposit machine=TiN_Sputtering time=5 minutes divis=10 Po to plokštelės paviršius dengiamas W, kuris gaunamas iš WF 6 , veikiant H 2 dujoms. 0,625 µm storio W sluoksnio nusodinimo programinis kodas yra toks: # „Kaištinio“ W sluoksnio dengimas rate.depo machine=Tungsten_CVD tungsten n.m cvd dep.rate=125 step.cov=1.0 deposit machine=Tungsten_CVD time=5 minutes divis=10 Vėl atliekamas cheminis-mechaninis poliravimas ir nuo plokštelės paviršiaus pašalinami W ir TiN sluoksniai, paliekant juos tik SiO 2 išėsdintose tranzistorių elektrodų (kontaktų) angose. Toliaus pateikiame šio poliravimo programinį kodą: # Cheminis-mechaninis TiN ir W poliravimas rate.polish material=TiN machine=CMP u.s max. 104
Page 1 and 2:
Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4:
R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7:
ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 8 and 9:
ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologi
Page 10 and 11:
ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15:
1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17:
1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 20 and 21:
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 22 and 23:
Page 24 and 25:
Page 26 and 27:
Page 28 and 29:
Page 30 and 31:
Page 32 and 33:
Page 34 and 35:
Page 36 and 37:
Page 38 and 39:
Page 40 and 41:
Page 42 and 43:
Page 44 and 45:
Page 46 and 47:
Page 48 and 49:
Page 50 and 51:
Page 52 and 53:
Page 54 and 55: 2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 60 and 61: 3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 72 and 73: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 144 and 145: APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147: PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149: PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151: PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?