mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGIJŲ YPATUMAI p 2.10 pav. Si plokštelė, atlikus lokalų oksidavimą U tipo kombinuotosios izoliacijos technologinių procesų sekos pavyzdys parodytas 2.11 ir 2.12 paveiksluose. Po pirmosios fotolitografijos ir Si 3 N 4 ėsdinimo, kaip ankstesniu atveju, ėsdinamas plonas 20–40 nm SiO 2 buferiniame tirpale ar chloro plazmoje. Po to 0,5–0,8 µm gylyje išėsdinami U tipo grioveliai, naudojant anizotropinį reakcinį-plazminį būdą (2.11 pav.). Vėliau, pašalinus fotorezistą minėtais būdais, pvz: deguonies plazmoje vykdomas terminis oksidavimas, kai temperatūra – itin aukšta (1100 ºC), kad gautume ploną 10–20 nm SiO 2 sluoksnį ant išėsdintų Si U tipo sienelių, kurios kiek užapvalėja dėl elastinių Si savybių, esant aukštai temperatūrai. Po to atliekamas cheminis nusodinimas iš dujinės fazės, panaudojant monosilano ir deguonies cheminės reakcijos produktus. Šiuo metodu galima nusodinti dielektrinį sluoksnį, kai padėklo temperatūra – tik 150–250 °C, ir užpildyti storu 0,5–1,0 µm oksidu U tipo griovelius, kurių plotis yra maždaug dvigubai didesnis nei storo oksido, t. y. apie 1,0–2,0 µm. Padengus dielektriko sluoksniu, Si plokštelės paviršius būna gana nelygus ir plokštelės darbinis paviršius šlifuojamas, poliruojamas, naudojant suspensijas su vis mažesnių matmenų abrazyvais. Po mechaninio poliravimo atliekamas cheminis dinaminis poliravimas – plokštelių 41
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGIJŲ YPATUMAI paviršius ėsdinamas azoto, fluoro ir acto rūgščių mišiniu. Šis procesas vadinamas cheminiu-mechaniniu poliravimu arba sutrumpintai CMP (angl. Chemical Mechanical Polishing, (CMP). Taip gaunamas planarus lygus plokštelės paviršius su izoliacijos sritimis (2.12 pav.) p 2.11 pav. Si plokštelė po silicio ėsdinimo p 2.12 pav. Si plokštelė, suformavus izoliacines sritis n ir p sričių (kišenių) formavimas. Antroji fotolitografija vykdoma siekiant pašalinti fotorezistą po jo dengimo operacijos nuo p laidumo priemaišų įterpimo sričių (p kišenių), kuriose bus formuojami NMOP tranzistoriai. NMOP tranzistoriaus p tipo kišenei legiruoti taikoma boro jonų implantacija, naudojant 100– 42
Page 1 and 2: Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4: R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7: ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 8 and 9: ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologi
Page 10 and 11: ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13: 1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15: 1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17: 1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19: 1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 20 and 21: 2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 60 and 61: 3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 72 and 73: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 92 and 93:
5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 94 and 95:
Page 96 and 97:
Page 98 and 99:
Page 100 and 101:
Page 102 and 103:
Page 104 and 105:
Page 106 and 107:
Page 108 and 109:
Page 110 and 111:
Page 112 and 113:
Page 114 and 115:
Page 116 and 117:
Page 118 and 119:
Page 120 and 121:
Page 122 and 123:
6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 124 and 125:
Page 126 and 127:
Page 128 and 129:
Page 130 and 131:
Page 132 and 133:
Page 134 and 135:
Page 136 and 137:
Page 138 and 139:
Page 140 and 141:
Page 142 and 143:
Page 144 and 145:
APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147:
PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149:
PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151:
PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?