mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINĖS SEKOS<br />
Krūvininkų judrumas µ, cm 2 /(V×s)<br />
10 3 µ n<br />
µ p<br />
10 2<br />
10 14 10 15 10 16 10 17 10 18 10 19 10 20<br />
Priemaišų koncentracija N, cm -3<br />
3.5 pav. Krūvininkų judrumo silicije priklausomybė nuo koncentracijos<br />
Pagrindinių krūvininkų judrumo priklausomybė nuo koncentracijos,<br />
kai aplinkos temperatūra lygi 300 K, yra pavaizduota<br />
3.5 paveiksle. Naudojantis gautais duomenimis ir (3.12) išraiška,<br />
galima rasti paviršinę priemaišų koncentraciją N 0<br />
. Kadangi skaičiavimas<br />
gana sudėtingas, tai paprastai naudojamasi iš anksto<br />
apskaičiuotomis paviršinės koncentracijos N 0<br />
priklausomybėmis<br />
nuo vidutinio sluoksnio laidumo σ, priemaišų tipo, pasiskirstymo<br />
dėsnio ir priemaišų koncentracijos silicyje N B<br />
. Tai vadinamosios<br />
Irvino kreivės, dalis jų parodyta 3.6 paveiksle.<br />
Dvipoliuose npn tranzistoriuose dėl difuzijos koeficiento<br />
priklausomumo nuo priemaišų koncentracijos, formuojant emiterį<br />
didelės koncentracijos apie 10 21 cm -3 fosforo difuzija, mažos<br />
koncentracijos bazės sritis po emiteriu pagilėja 0,2–0,4 mm. Šis<br />
reiškinys vadinamas „bazės įspaudimu emiteriu“. Praktikoje<br />
68
Change language