mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ<br />
etch cont x=8.0 y=-4.8<br />
etch cont x=13.0 y=-4.8<br />
etch done x=13.0 y=-5.4<br />
# Medžiagų ėsdinimo greičio nustatymas<br />
rate.etch machine=HF wet.etch name.resist=AZ1350J<br />
n.m isotropic=1<br />
rate.etch machine=HF wet.etch oxide n.m isotropic=100<br />
# Ėsdinimo laiko nustatymas<br />
etch machine=HF time=5 min<br />
# Pašalinamas likęs fotorezisto sluoksnis<br />
etch name.resist=AZ1350J all<br />
# Atliekamas boro priemaišų įterpimas<br />
diffusion time=10 temp=1100 c.boron=3e19<br />
# Atliekamas boro priemaišų perskirstymas<br />
diffusion time=15 temp=1200 dryo2 press=1 hcl=2<br />
# Nuėsdinamas likęs SiO 2<br />
sluoksnis<br />
etch oxide all<br />
Emiterio ir kolektoriaus n+ sričių formavimas. Ketvirtosios<br />
fotolitografijos metu formuojamos angos emiterio difuzijai ir kolektoriaus<br />
varžai sumažinti. n+ emiteris gaunamas vienstadijinę<br />
fosforo difuziją atliekant oksiduojančioje aplinkoje 5 minutes,<br />
esant 1000 ºC temperatūrai. Emiterio sluoksnio siektini orientaciniai<br />
parametrai: gylis – apie 0,7–0,8 mm, paviršinė varža R sE<br />
–<br />
8–10 W/□, paviršinė koncentracija N 0E<br />
– apie 1,5…2,0×10 20 cm -3 .<br />
Šio etapo programinis kodas yra toks:<br />
# Terminis oksidavimas drėgname deguonyje<br />
diffuse time=10 temperature=1100 wetO2 press=2<br />
127
Change language