mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINĖS SEKOS<br />
⎛ N ⎞<br />
0<br />
X<br />
j<br />
= 2 Dt<br />
ln − 0,3<br />
. (3.11)<br />
⎜ N ⎟<br />
⎝ B ⎠<br />
Priemaišų paviršinė koncentracija nustatoma išmatavus paviršinę<br />
varžą, pn sandūros gylį ir žinant priemaišų pasiskirstymo<br />
dėsnį difuziniame sluoksnyje. Paprastai priemaišos pasiskirsto<br />
pagal Gauso dėsnį bazės sluoksnyje, o pagal erfc dėsnį – emiterio<br />
sluoksniuose. Todėl paviršinė koncentracija paprastai nustatoma<br />
remiantis šiais dėsniais.<br />
Pirmiausia apskaičiuojame vidutinį lyginamąjį sluoksnio laidumą:<br />
X j<br />
1<br />
σ = = q ( x) N ( x)<br />
NB<br />
dx<br />
RX<br />
∫ m ⎡⎣<br />
− ⎤⎦<br />
, (3.12)<br />
s j 0<br />
čia q – elektrono krūvis; μ(x) – pagrindinių krūvininkų judrumas<br />
difuziniame sluoksnyje, priklausantis nuo koncentracijos; N B<br />
–<br />
priemaišų koncentracija silicio sluoksnyje, į kurį vyksta difuzija.<br />
67
Change language