mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...

5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ
# Likusio fotorezisto pašalinimas
etch name.resist=AZ1350J all
# Gautos struktūros saugojimas
structure outfile=lithography_11.str
# Gautos struktūros atvaizdavimas
tonyplot -st lithography_11.str -set settings.set
Pirmoji metalizacija. Plokštelės paviršius dengiamas pirmuoju
tarpsluoksniniu dielektriku iš silicio oksido ir legiruojančių
priemaišų cheminių junginių, kurie yra vadinami silikatiniais
stiklais. Dažnai kaip tarpsluoksninis dielektrikas yra naudojamas
boro-fosforosilikatinis stiklas (B 2
O 3
) l
(P 2
O 5
) m
(SiO 2
) n
(angl.
borophosphosilicate glass, (BPSG). 1 µm storio BPSG sluoksnio
gavimo kodas, esant žemam slėgiui ir chemiškai nusodinant iš
dujinės fazės:
# Pirmasis tarpsluoksninis dielektrikas: LPCVD BPSG
rate.depo machine=BPSG_LPCVD material=BPSG n.m cvd
dep.rate=200 step.cov=1.0
deposit machine=BPSG_LPCVD time=5 minutes divis=10
Po visų ankstesnių operacijų plokštelės paviršius būna nelygus,
įskilęs ir kitaip paveiktas, todėl plokštelės šlifuojamos,
poliruojamos naudojant suspensijas su vis mažesnių matmenų
abrazyvais. Po mechaninio poliravimo atliekamas cheminis-dinaminis
poliravimas (angl. Chemical Mechanical Polishing,
(CMP), t. y. plokštelių paviršius ėsdinamas azoto, fluoro ir acto
rūgščių mišiniu. CMP tikslas – planarizuoti BPSG sluoksnio paviršių.
Jo programinis kodas yra toks:
# Cheminis-mechaninis poliravimas
rate.polish material=BPSG machine=CMP u.s max.
hard=.15 min.hard=.03 isotropic=0.001
101