mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...

6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ
#Kolektoriaus paviršinės N 0K
koncentracijos nustatymas
extract name=“Kolektoriaus koncentracija“ surf.
conc impurity=“Net Doping“ material=“Silicon“ mat.occno=1
x.val=17.0
Atlikus tranzistoriaus sričių N 0
skaičiavimus, gauti tokie rezultatai:
N 0E
= 1,9×10 20 cm -3 , N 0B
= 4,72×10 18 cm -3 , kolektoriaus
kontakto N 0C
= 1,84×10 20 cm -3 .
Epitaksinio sluoksnio N D
= 5×10 15 cm -3 , o paslėptojo sluoksnio
maksimali koncentracija – apie 2×10 19 cm -3 (žr. 6.2 pav.).
Galiausiai, nustačius visus būtinus parametrus, suprojektuota
n+pn tranzistoriaus su sandūrine izoliacija struktūra yra išsaugoma
complete _ BJT.str faile bei pavaizduojama naudojantis
TonyPlot paprograme:
# Galutinės struktūros saugojimas faile
structure outfile = complete_BJT.str
# Galutinės struktūros atvaizdavimas
tonyplot complete_BJT.str -set settings.set
quit
Reikėtų atkreipti dėmesį, kad TonyPlot paprogramei yra nurodytas
tekstinis nustatymų settings.set failas. Jo turinys yra pateiktas
1 priede.
136