mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ hard=.15 min.hard=.03 isotropic=0.002 rate.polish tungsten machine=CMP u.s max.hard=.15 min.hard=.03 isotropic=0.002 rate.polish oxide machine=CMP u.s max.hard=.15 min. hard=.03 isotropic=0.002 polish machine=CMP time=20 seconds Po poliravimo ant gauto lygaus paviršiaus dulkinant jonų bombardavimu nusodinamas 0,5 µm storio pirmojo metalo aliuminio (Al) sluoksnis: # Pirmojo Al sluoksnio nusodinimas rate.depo machine=Al_Sputtering aluminum n.m hemisphe sigma.dep=0.20 dep.rate=250 angle1=90.00 angle2=-90.00 deposit machine=Al_Sputtering time=2 minutes divis=10 Plokštelė po pirmojo 0,5 µm storio Al sluoksnio padengimo pavaizduota 5.6 paveiksle. Tryliktosios fotolitografijos metu fotoreziste formuojamos angos tose srityse, kur bus ėsdinamas pirmasis aliuminio sluoksnis. Al sluoksnis turi likti virš W „kaištinių“ kontaktų, t. y. Al sujungimo, todėl takelio plotis yra 1,5 µm. Šios fotolitografijos programinis kodas yra toks: ### XIII fotolitografija: pirmojo Al ėsdinimas ### deposit name.resist=AZ1350J thickness=0.5 div=1 layout lay.clear x.low=-10.5 z.low=-4.0 x.high=-7.75 z.high=4.0 layout x.low=-5.75 z.low=-4.0 x.high=-4.25 z.high=4.0 layout x.low=-2.25 z.low=-4.0 x.high=2.25 z.hi- 105
5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ gh=4.0 layout x.low=4.25 z.low=-4.0 x.high=5.75 z.high=4.0 layout x.low=7.75 z.low=-4.0 x.high=10.5 z.high=4.0 image win.x.lo=-10.5 win.x.hi=10.5 win.z.lo=-4.25 win.z.hi=4.25 dx=0.05 clear expose dose=150 bake time=100 sec temp=120 develop mack time=90 steps=15 # material material=AZ1350J gamma.reflo=2e2 reflow visc.0=1.862e-13 visc.E=1.85 # bake time=10 min temp=120 reflow 106
Page 1 and 2:
Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4:
R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7:
ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 8 and 9:
ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologi
Page 10 and 11:
ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15:
1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17:
1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 20 and 21:
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 22 and 23:
Page 24 and 25:
Page 26 and 27:
Page 28 and 29:
Page 30 and 31:
Page 32 and 33:
Page 34 and 35:
Page 36 and 37:
Page 38 and 39:
Page 40 and 41:
Page 42 and 43:
Page 44 and 45:
Page 46 and 47:
Page 48 and 49:
Page 50 and 51:
Page 52 and 53:
Page 54 and 55:
Page 56 and 57: 2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 60 and 61: 3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 72 and 73: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 144 and 145: APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147: PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149: PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151: PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?