mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...

5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ
layout lay.clear x.low=-5.5 z.low=-4.0 x.high=-4.5
z.high=4.0
layout x.low=4.5 z.low=-4.0 x.high=5.5 z.high=4.0
image win.x.lo=-10.5 win.x.hi=10.5 win.z.lo=-4.25
win.z.hi=4.25 dx=0.05 clear
expose dose=150
bake time=100 sec temp=120
develop mack time=90 steps=15
# material material=AZ1350J gamma.reflo=2e2 reflow
visc.0=1.862e-13 visc.E=1.85
# bake time=10 min temp=120 reflow
Po to atliekamas 5 minučių trukmės polikristalinio silicio
plazminis-cheminis ėsdinimas sieros heksafluorido (SF 6
) ir helio
(He) dujose apytikriai 100 nm/min. greičiu, o selektyvumas SiO 2
ir AZ1350J fotorezisto atžvilgiu atitinkamai yra lygus: Si/SiO 2
=
20 ir Si/AZ1350J = 40. Polikristalinio silicio ėsdinimo programinis
kodas yra toks:
# Sausas, anisotropinis polisilicio ėsdinimas
rate.etch machine=POLY_Etch material=AZ1350J n.m
rie directional=2.5
rate.etch machine=POLY_Etch polysilicon n.m rie
directional=100.0
rate.etch machine=POLY_Etch oxide n.m rie directional=5
etch machine=POLY_Etch time=5 minutes
# Likusio fotorezisto pašalinimas
etch name.resist=AZ1350J all
# Gautos struktūros saugojimas
90