mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ 5.4 pav. Silicio plokštelė, suformavus užtūrų šoninį dielektriką Galutinis santakos ir ištakos suformavimas. Devintosios fotolitografijos metu fotorezistas paliekamas virš būsimo PMOP tranzistoriaus sričių, o pro fotoreziste atidengtą NMOP tranzistorių n+ priemaišomis yra legiruojamos ištakos ir santakos sritys arseno (As) jonais, kurių energija yra 100 keV ir dozė lygi 4×10 15 cm -2 . Šių operacijų programinis kodas yra toks: ### IX fotolitografija: NMOP santaka ir ištaka ### deposit name.resist=AZ1350J thickness=0.5 div=10 layout lay.clear x.low=-10.5 z.low=-4.0 x.high=0.0 z.high=4.0 image win.x.lo=-10.5 win.x.hi=10.5 win.z.lo=-4.25 win.z.hi=4.25 dx=0.05 clear 95
5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ expose dose=150 bake time=100 sec temp=120 develop mack time=90 steps=15 # material material=AZ1350J gamma.reflo=2e2 reflow visc.0=1.862e-13 visc.E=1.85 # bake time=10 min temp=120 reflow # Implantavimo parametrų įkėlimas moments std_tables # 100 keV energijos, 4e15 dozės arseno implantacija implant arsenic energy=100 dose=4.0e15 pearson # Likusio fotorezisto pašalinimas etch name.resist=AZ1350J all # Gautos struktūros saugojimas structure outfile=lithography_9.str # Gautos struktūros atvaizdavimas tonyplot -st lithography_9.str -set settings.set Dešimtoji fotolitografija yra analogiška devintajai, bet skirta p+ priemaišomis legiruoti PMOP tranzistoriaus ištakos (santakos) sritis 20 keV energijos ir 4×10 15 cm -2 dozės boro jonų implantacija. Toliau pateikiamas šios fotolitografijos ir implantacijos programinis kodas: ### X fotolitografija: PMOP santaka ir ištaka ### deposit name.resist=AZ1350J thickness=0.5 div=1 layout lay.clear x.low=0 z.low=-4.0 x.high=10.5 z.high=4.0 image win.x.lo=-10.5 win.x.hi=10.5 win.z.lo=-4.25 win.z.hi=4.25 dx=0.05 clear expose dose=150 96
Page 1 and 2:
Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4:
R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7:
ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 8 and 9:
ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologi
Page 10 and 11:
ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15:
1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17:
1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 20 and 21:
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 22 and 23:
Page 24 and 25:
Page 26 and 27:
Page 28 and 29:
Page 30 and 31:
Page 32 and 33:
Page 34 and 35:
Page 36 and 37:
Page 38 and 39:
Page 40 and 41:
Page 42 and 43:
Page 44 and 45:
Page 46 and 47: 2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 60 and 61: 3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 72 and 73: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 144 and 145: APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147:
PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149:
PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151:
PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?