mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ<br />
# Gautos išėjimo VACh šeimos atvaizdavimas<br />
tonyplot -overlay NMOSvgs0_0.log NMOSvgs1_0.<br />
log NMOSvgs2_0.log NMOSvgs3_0.log NMOSvgs4_0.log<br />
NMOSvgs5_0.log -set CMOS_settings.set<br />
# Modeliavimo pabaiga<br />
Quit<br />
Reikėtų atkreipti dėmesį, kad TonyPlot paprogramei yra nurodytas<br />
tekstinis nustatymų CMOS_settings.set failas. Šio failo<br />
turinys yra pateiktas 2 priede.<br />
5.8 paveiksle, a, pavaizduota NMOP tranzistoriaus išėjimo<br />
VACh šeima. Matyti, kad, kai V GS<br />
= 1 V, tranzistorius dar yra<br />
uždaras ir srovė juo neteka, o kai V GS<br />
= 2 V, I D<br />
, soties srovė yra<br />
apie 35 µA. Tiksliai nustatyti V GS<br />
įtampą, kuriai esant tranzistoriaus<br />
kanalu pradeda tekėti I D<br />
srovė, t. y. V TH<br />
, galima iš perdavimo<br />
VACh (5.8 pav., b). Ši charakteristikų šeima gauta V DS<br />
keičiant<br />
0,5 V žingsniu nuo 1 V iki 3 V. Iš šio grafiko matyti, kad indukuotojo<br />
kanalo NMOP tranzistoriaus slenkstinė V TH<br />
įtampa yra<br />
apie 1,1 V. Tranzistoriaus, kurio ilgis ir plotis 1 µm, statumas yra<br />
lygus apie 100 ir 140 µS, kai V GS<br />
lygi 3 ir 4 V, o V DS<br />
lygi 3 V.<br />
117
Change language