mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...

2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGIJŲ YPATUMAI
n p
p- implantas n- implantas
n sritis p sritis
p
2.16 pav. Silicio plokštelė, suformavus užtūrų šoninį dielektriką
Galutinis santakos ir ištakos suformavimas. Devintosios fotolitografijos
metu fotorezistas paliekamas virš būsimo PMOP
tranzistoriaus sričių, o pro fotoreziste atidengtą NMOP tranzistorių
n+ priemaišomis yra legiruojamos ištakos ir santakos sritys
arseno (As) jonais, kurių energija yra 75–150 keV ir dozės lygios
2–8×10 15 cm -2 .
Dešimtoji fotolitografija yra analogiška devintajai, bet skirta
p+ priemaišomis legiruoti PMOP tranzistoriaus ištakos (santakos)
sritis mažesnės 10–20 keV energijos ir 2–8×10 15 cm -2 dozės
boro jonų implantacija. Šios fotolitografijos taip pat gali būti netikslios,
kaip ir septintoji ir aštuntoji fotolitografijos, nes reikia
sutapdinti fotorezisto kraštą bent ant dalies izoliacinės srities,
skiriančios NMOP nuo PMOP tranzistorių, t. y. reikalaujamas
tapdinimo tikslumas yra daugiau kaip 10 kartų mažesnis, nei užtūroms,
o tapdinimo paklaidos gali siekti ir 1 µm.
Nuėmus fotorezistą, vėl yra atliekamas plokštelės atkaitinimas,
kurio tikslas, kaip ir ankstesnių atkaitinimų, – radiacinių
defektų pašalinimas, priemaišų aktyvacija ir galutinis pn sandū-
50