mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...

5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ
rate=300 step.cov=0.80
deposit machine= Si3N4_PECVD time=5.0 minute div=10
# Cheminis, mechaninis Si3N4 poliravimas
rate.polish machine=Si3N4 nitride u.s max.hard=.15
min.hard=.03 isotropic=0.002
polish machine=Si3N4 time=20 seconds
# Galutinės struktūros išsaugojimas
structure outfile=CMOS.str
# Galutinės struktūros atvaizdavimas
tonyplot -st CMOS.str -set settings.set
# Modeliavimo pabaiga
quit
Si plokštelė po Si 3
N 4
pasyvacijos ir CMP pavaizduota 5.7 paveiksle.
Voltamperinių charakteristikų modeliavimas. Atlikus vienuoliktąją
fotolitografiją bei suformavus KMOP tranzistorių
TiSi 2
ominius kontaktus, jau galima modeliuoti ir elektrines charakteristikas.
Apačioje pateiktas programinis kodas, naudotinas
elektrinėms charakteristikoms modeliuoti:
# Pasirenkama Athena modeliavimo programa
go athena
# Gautas vaizdas po vienuoliktosios fotolitografijos
init infile=lithography_11.str
112