mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ p+ n+ p n+ p+ X jE ≈0,8 µm X jB ≈1,6 µm n epitaksinis n+ paslėptasis X jC ≈6,5 µm p padėklas 6.1 pav. Planarinės epitaksijos dvipolio n+pn tranzistoriaus struktūra Įrašius į Deckbuild programos išrinkties langą visas aptartas komandas, vykdomi skaičiavimai. Juos atlikus, TonyPlot programa pavaizduos sudarytą planarinės epitaksijos dvipolio n+pn tranzistoriaus struktūrą bei priemaišų pasiskirstymą puslaidininkinės tūryje (6.1 pav.). Anksčiau buvo pateikti X j nustatymo programiniai kodai, tačiau tai atlikti galima ir grafiniu būdu. Tuo tikslu TonyPlot lange yra pasirenkama Plot→Display→Junction komandų seka, o ją įvykdžius, pavaizduojamos pn sandūrų ribos. Norint tiksliai nustatyti šias ribas, patartina naudoti liniuotę, kurią galima pasirinkti įvykdžius Tools→Ruler komandų seką. Atlikus matavimus 137
6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ ties emiterio viduriu, t. y. ties 8,5 µm abscisių tašku, matyti, kad X jE ≈ 0,8 µm, X jB ≈ 1,6 µm, X jC ≈ 6,5 µm. Atliktų matavimų rezultatai pateikti 6.1 paveiksle. emiteris bazė kolektorius pagrindas SiO 2 Al X jC X jB X jE 6.2 pav. Priemaišų pasiskirstymas planarinės epitaksijos dvipolio n+pn tranzistoriaus struktūroje Norint nustatyti priemaišų pasiskirstymą norimose puslaidininkinės struktūros srityse, yra naudojama Tools→Cutline komandų seka. Atlikus šią komandą ir pasirinkus vertikalų žymeklį bei norimą abscisių ašies tašką (šiuo atveju ties emiterio viduriu, t. y. x = 8,5 μm), gaunamas efektinės priemaišų N ef koncentracijos (angl. net doping) grafikas (6.2. pav.). N ef yra donorinių N D ir akceptorinių N A priemaišų skirtumo modulis, t. y. N ef = |N D – 138
Page 1 and 2:
Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4:
R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7:
ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 8 and 9:
ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologi
Page 10 and 11:
ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15:
1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17:
1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 20 and 21:
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 22 and 23:
Page 24 and 25:
Page 26 and 27:
Page 28 and 29:
Page 30 and 31:
Page 32 and 33:
Page 34 and 35:
Page 36 and 37:
Page 38 and 39:
Page 40 and 41:
Page 42 and 43:
Page 44 and 45:
Page 46 and 47:
Page 48 and 49:
Page 50 and 51:
Page 52 and 53:
Page 54 and 55:
Page 56 and 57:
Page 58 and 59:
Page 60 and 61:
3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 62 and 63:
Page 64 and 65:
Page 66 and 67:
Page 68 and 69:
Page 70 and 71:
Page 72 and 73:
4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75:
4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 76 and 77:
Page 78 and 79:
Page 80 and 81:
Page 82 and 83:
Page 84 and 85:
Page 86 and 87:
Page 88 and 89: 5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 122 and 123: 6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 144 and 145: APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147: PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149: PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151: PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?