mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGIJŲ YPATUMAI<br />
lydiniai gali būti taikomi taip pat, kaip ir silicidai bei nitridai.<br />
Silicidų privalumas yra tas, kad jie labiau suderinami su polikristaliniu<br />
siliciu, taip pat yra chemiškai ir termiškai stabilūs, pvz.,<br />
Ni ir Ta silicidai gerai tinka PMOP ir NMOP užtūroms. Paprastai<br />
nitridų išlaisvinimo darbas didesnis nei grynųjų metalų. Azoto<br />
išlaisvinimo darbas yra 6,89 eV, Ti – 3,6 eV, o TiN nustatytas<br />
4,6 eV, šiek tiek didesnis už SiO 2<br />
draudžiamosios juostos vidurį.<br />
Pereinamieji metalo nitridai, tokie kaip ZrN ir HfN, taip pat gali<br />
būti pasirinkti NMOP užtūroms. Netgi LaN galėtų būti naudojamas,<br />
jei nitridą būtų galima paversti laidžiu. Ateityje MoN ir CrN<br />
galėtų būti taikomi PMOP užtūroms.<br />
KMOP tranzistorių gamybos technologinių sekų ypatumai.<br />
Galutinis Si KMOP tranzistorių gamybos technologijų sekų rezultatas<br />
yra parodytas 2.5 paveiksle. Šiam integriniam grandynui<br />
pagaminti reikia 16 fotolitografijų ir daugiau kaip 100 technologinių<br />
operacijų. Tokį integrinį grandyną (mikroprocesorius, atmintinė<br />
ar kt.) gali sudaryti šimtai milijonų komponentų, kaip<br />
parodyta šiame paveiksle.<br />
Pagrindiniai technologinių procesų projektavimo etapai,<br />
aprašyti toliau, yra tokie: silicio plokštelės paruošimas, NMOP<br />
ir PMOP tranzistorių aktyviųjų sričių formavimas ir izoliacija,<br />
n ir p sričių (kišenių) formavimas, slenkstinių įtampų korekcija,<br />
užtūros formavimas, santakų ir ištakų palegiravimas, užtūros<br />
šoninio dielektriko formavimas, galutinis santakos ir ištakos legiravimas,<br />
ominių kontaktų suformavimas, pirmoji metalizacija,<br />
antroji metalizacija ir pasyvacija.<br />
Silicio plokštelės paruošimas. Gamybos projektavimo ciklo<br />
pradžioje mes privalome pasirinkti pradinę plokštelę, t. y. jos laidumo<br />
tipą (n ar p tipo), specifinę varžą (legiravimo lygį), lusto kristalo<br />
orientaciją (111 ar 100), plokštelės skersmenį (75, 100, 125, 150,<br />
200 ar 300 mm) ir daug kitų parametrų, aprašančių geometrinius<br />
netolygumus, defektiškumo lygį ir kt. (2.2 lentelė). Dažniausiai<br />
27
Change language