mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...

6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ
24 µm taškais, bus 0,5 µm žingsnio tinklelis, o ties 6 µm ir 18 µm
taškais žingsnio tinklelis bus tankesnis – 0,1 µm, nes šiame intervale
bus kuriamos tranzistoriaus pn sandūros, panašiai ordinačių
ašyje ties plokštelės paviršiumi parenkamas 0,1 µm žingsnio tinklelis,
o ties 4 µm – 0,5 µm. Pasirinktos plokštelės ir jos tinklelio
aprašo programinis kodas yra toks:
# Plokštelės matmenų ir tinklelio įvedimas x ašyje
line x loc=0.0 spacing=0.5
line x loc=6.0 spacing =0.1
line x loc=18.0 spacing =0.1
line x loc=24.0 spacing =0.5
# Plokštelės matmenų ir tinklelio įvedimas y ašyje
line y loc=0.0 spacing =0.1
line y loc=4.0 spacing =0.5
Silicio plokštelės parametrų nustatymas. Vėliau nurodoma
plokštelės medžiaga ir jos kristalografinė gardelė, legiruojančios
priemaišos bei jų koncentracija arba padėklo savitoji ρ varža.
Pasirinkta silicio (Si) plokštelė, kurios kristalografinė gardelė –
(100), legiruota boru, o savitoji varža – ρ = 10 W×cm. Tokios silicio
plokštelės aprašo kodas yra toks:
# Legiruota boru silicio plokštelė, kurios savitoji
# varža ρ=10 W×cm
init silicon orient=100 boron resistivity=10 two.d
Paslėptojo sluoksnio formavimas. Paruošus Si plokštelės paviršių,
vykdomas 10 minučių trukmės terminio oksidavimo procesas
drėgno deguonies atmosferoje, esant 1100 ºC temperatūrai.
Terminio oksidavimo drėgname deguonyje programinis kodas
yra toks:
# Terminis oksidavimas drėgname deguonyje
122