mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ etch name.resist=AZ1350J start x=22 y=-6.5 etch cont x=22 y=-5.9 etch cont x=24.0 y=-5.9 etch done x=24.0 y=-6.5 # Medžiagų ėsdinimo greičio nustatymas rate.etch machine=HF wet.etch name.resist=AZ1350J n.m isotropic=1 rate.etch machine=HF wet.etch oxide n.m isotropic=100 # Ėsdinimo laiko nustatymas etch machine=HF time=10 min # Pašalinamas likęs fotorezisto sluoksnis etch name.resist=AZ1350J all Tranzistoriaus elektrodų aprašymas. Suformavus tranzistoriaus elektrodus, tolimesnėms elektrinėms charakteristikoms modeliuoti reikia nurodyti jų pavadinimus. Tai atliekama abscisių ašyje nurodžius šių elektrodų vidurio taškus: # Elektrodams suteikiami pavadinimai electrode name=collector x=17.0 electrode name=emitter x=8.5 electrode name=base x=12.25 Tranzistoriaus konstrukcinių parametrų analizė. Gamybos metu po kiekvieno technologinio proceso atliekama kontrolė. Vizualiai tikrinama oksidavimo, fotolitografijos, paviršiaus valymo kokybė. Difuzinių sričių parametrai kontroliuojami matuojant paviršines R s varžas ir / arba priemaišų N 0 koncentracijas ir / arba sandūrų X j gylius. Šiuos parametrus taip pat galima nustatyti ir Athena programoje. Gautų pn sandūrų X j gyliai ties emiterio 133
6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ viduriu, t. y. ties 8,5 abscisių tašku (x. val = 8,5) yra randami naudojant šiuos programinius kodus: # Emiterio X jE gylio nustatymas extract name=“Emiterio gylis“ xj material=“Silicon“ mat.occno=1 x.val=8.5 junc.occno=1 # Bazės X jB gylio nustatymas extract name=“Bazes gylis“ xj material=“Silicon“ mat.occno=1 x.val=8.5 junc.occno=2 # Kolektoriaus X jC gylio nustatymas extract name=“Kolektoriaus gylis“ xj material=“Silicon“ mat.occno=1 x.val=8.5 junc.occno=3 Parametras junc.occno nurodo puslaidininkio sluoksnių eiliškumą nuo padėklo paviršiaus, pasirinktame x.val=8.5 taške. Kadangi n+pn tranzistoriaus struktūroje emiterio sritis yra pirmoji nuo plokštelės paviršiaus, todėl junc.occno=1. Tuo tarpu bazės sritis yra antroji, o kolektoriaus – trečioji, todėl šie parametrai yra lygūs junc.occno=2, junc.occno=3. Atlikus skaičiavimus, apatiniame Deckbuild programos vykdymų lange bus matomi šie rezultatai: EXTRACT> extract name=“Emiterio gylis“ xj material=“Silicon“ mat.occno=1 x.val=8.5 junc.occno=1 Emiterio gylis= 0.77826 um from top of first Silicon layer X.val=8.5 EXTRACT> extract name=“Bazes gylis“ xj material=“- Silicon“ mat.occno=1 x.val=8.5 junc.occno=2 Bazes gylis= 1.58272 um from top of first Silicon layer X.val=8.5 EXTRACT> extract name=“Kolektoriaus gylis“ xj material=“Silicon“ mat.occno=1 x.val=8.5 junc.occno=3 134
Page 1 and 2:
Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4:
R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7:
ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 8 and 9:
ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologi
Page 10 and 11:
ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15:
1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17:
1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 20 and 21:
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 22 and 23:
Page 24 and 25:
Page 26 and 27:
Page 28 and 29:
Page 30 and 31:
Page 32 and 33:
Page 34 and 35:
Page 36 and 37:
Page 38 and 39:
Page 40 and 41:
Page 42 and 43:
Page 44 and 45:
Page 46 and 47:
Page 48 and 49:
Page 50 and 51:
Page 52 and 53:
Page 54 and 55:
Page 56 and 57:
Page 58 and 59:
Page 60 and 61:
3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 62 and 63:
Page 64 and 65:
Page 66 and 67:
Page 68 and 69:
Page 70 and 71:
Page 72 and 73:
4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75:
4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 76 and 77:
Page 78 and 79:
Page 80 and 81:
Page 82 and 83:
Page 84 and 85: 5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 122 and 123: 6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 144 and 145: APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147: PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149: PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151: PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?