mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...

3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINĖS SEKOS
įspaudimui sumažinti naudojama arseno difuzija arba polikristalinis
emiteris (3.7 pav.).
10 21 N B =10 14
Paviršinė koncentracija N0, cm -2
10 20
10 19
N B =10 16 N B =10 18
10 18
1
10 100 1000
Efektinis laidumas, 1/(W⋅cm)
3.6 pav. Irvino kreivės, kai T = 300 K
Vieno ar dviejų polikristalinio silicio sluoksnių technologijos
– tai technologijos su legiruojančiaisiais elektrodais.
Reikalavimai joms: pirmojo ir / arba antrojo tipo elektrodai turi
būti legiruoti p, p+ tipo ar n+ tipo priemaišomis ir susitapdinti su
kontaktų langais. Būtent jos praktikoje plačiausiai taikomos susitapdinančioms
ir savaime besiformuojančioms bazės žemaomės
p+ srities, atstumo tarp jos ir emiterio bei emiterio nanometrinėms
struktūroms gauti.
Po emiterio difuzijos vykdomi tokie technologiniai procesai:
kontaktinių angų fotolitografija, pirmoji aliuminio metalizacija ir
pasyvacija, jeigu sujungimai yra viename lygyje. Daugelio lygių
69