mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ structure outfile=lithography_3.str # Gautos struktūros atvaizdavimas tonyplot -st lithography_3.str -set settings.set Po jonų implantacijos dažniausiai yra naudojama terminė difuzija. Mat jonų implantacija naudojama tiksliai dozuotam su geru atkartojamumu priemaišų įterpimui, o difuzija – priemaišų perskirstymui (angl. drive-in). Be to, jos metu pašalinami radiaciniai defektai, aktyvuojamos priemaišos, gaunamas reikalingas priemaišų pasiskirstymo profilis ir reikalingo gylio pn sandūros. Priemaišų perskirstymo programinis kodas yra toks: # Priemaišų perskirstymas # Trijų pakopų ciklas: kaitinimo, laikymo, aušinimo diff time=30 temp=1000 t.final=1100 nitro press=1.0 diff time=180 temp=1100 nitro press=1.0 diff time=30 temp=1100 t.final=1000 nitro press=1.0 # Gautos struktūros saugojimas structure outfile=drive_in.str # Gautos struktūros atvaizdavimas tonyplot -st drive_in.str -set settings.set Puslaidininkinė Si plokštelė po n ir p laidumo kišenių implantavimo bei priemaišų perskirstymo pavaizduota 5.2 paveiksle. 85
5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ 5.2 pav. Si plokštelė, suformavus n ir p laidumo kišenes Slenkstinių įtampų korekcija. Vienas iš pagrindinių KMOP tranzistorių parametrų yra slenkstinė įtampa V TH . Šiuolaikinių KMOP tranzistorių V TH įtampa yra 0,1...1,2 V intervale. Norint valdyti įtaiso slenkstinę įtampą, paprastai panaudojama implantacija, kuri pakeičia priemaišų koncentraciją dviejų tipų tranzistorių kanalo srityse. Paprastai naudojamos dvi implantacijos: po vieną NMOP ir PMOP tipui formuoti atskirai. Ketvirtosios fotolitografijos metu fotoreziste atidaromos angos, per kurias bus atliekama NMOP tranzistoriaus V TH korekcijos implantacija. Šios fotolitografijos programinis kodas yra toks: ### IV fotolitografija: NMOP VTH korekcija ### deposit name.resist=AZ1350J thickness=0.5 div=10 layout lay.clear x.low=-10.5 z.low=-4.0 x.high=0.0 86
Page 1 and 2:
Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4:
R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7:
ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 8 and 9:
ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologi
Page 10 and 11:
ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15:
1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17:
1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 20 and 21:
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 22 and 23:
Page 24 and 25:
Page 26 and 27:
Page 28 and 29:
Page 30 and 31:
Page 32 and 33:
Page 34 and 35:
Page 36 and 37: 2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 60 and 61: 3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 72 and 73: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 136 and 137:
6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 138 and 139:
Page 140 and 141:
Page 142 and 143:
Page 144 and 145:
APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147:
PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149:
PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151:
PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?