mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...

5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ
deposit name.resist=AZ1350J thickness=0.5 div=1
layout lay.clear x.low=-10.5 z.low=-4.0 x.high=0.0
z.high=4.0
image win.x.lo=-10.5 win.x.hi=10.5 win.z.lo=-4.25
win.z.hi=4.25 dx=0.05 clear
expose dose=150
bake time=100 sec temp=120
develop mack time=90 steps=15
# material material=AZ1350J gamma.reflo=2e2 reflow
visc.0=1.862e-13 visc.E=1.85
# bake time=10 min temp=120 reflow
NMOP tranzistoriaus p tipo kišenė legiruojama boro jonų
implantacija, naudojant 150 keV energiją ir 1×10 13 cm -2 dozę, o po
to fotorezisto plėvelė pašalinama. Taigi NMOP tranzistoriaus p
laidumo kišenės formavimo ir pavaizdavimo programinis kodas
yra toks:
# Implantavimo parametrų įkėlimas
moments std_tables
# 150keV energijos, 1e13 dozės boro implantacija
implant boron energy=150 dose=1.0e13 pearson
# Likusio fotorezisto pašalinimas
etch name.resist=AZ1350J all
# Gautos struktūros saugojimas
structure outfile=lithography_2.str
# Gautos struktūros atvaizdavimas
tonyplot -st lithography_2.str -set settings.set
Analogiškai prieš tai vykdytai fotolitografijai, trečiosios fotolitografijos
metu fotoreziste padaromos angos būsimų PMOP
83