mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...

5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ
hard=.15 min.hard=.03 isotropic=0.002
rate.polish tungsten machine=CMP u.s max.hard=.15
min.hard=.03 isotropic=0.002
rate.polish oxide machine=CMP u.s max.hard=.15 min.
hard=.03 isotropic=0.002
polish machine=CMP time=20 seconds
Po poliravimo ant gauto lygaus paviršiaus dulkinant jonų
bombardavimu nusodinamas 0,5 µm storio pirmojo metalo aliuminio
(Al) sluoksnis:
# Pirmojo Al sluoksnio nusodinimas
rate.depo machine=Al_Sputtering aluminum n.m hemisphe
sigma.dep=0.20 dep.rate=250 angle1=90.00 angle2=-90.00
deposit machine=Al_Sputtering time=2 minutes divis=10
Plokštelė po pirmojo 0,5 µm storio Al sluoksnio padengimo
pavaizduota 5.6 paveiksle.
Tryliktosios fotolitografijos metu fotoreziste formuojamos
angos tose srityse, kur bus ėsdinamas pirmasis aliuminio sluoksnis.
Al sluoksnis turi likti virš W „kaištinių“ kontaktų, t. y. Al
sujungimo, todėl takelio plotis yra 1,5 µm. Šios fotolitografijos
programinis kodas yra toks:
### XIII fotolitografija: pirmojo Al ėsdinimas ###
deposit name.resist=AZ1350J thickness=0.5 div=1
layout lay.clear x.low=-10.5 z.low=-4.0 x.high=-7.75
z.high=4.0
layout x.low=-5.75 z.low=-4.0 x.high=-4.25 z.high=4.0
layout x.low=-2.25 z.low=-4.0 x.high=2.25 z.hi-
105