mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...

2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGIJŲ YPATUMAI
Šiuo metu fotorezistų kaukės kokybė ribojama eksponavimo
sistemos. Vis dėlto fotorezistai ir jų apdorojimo procesai
(eksponavimo dozė, kietinimas ir formavimo ciklai) privalo būti
kruopščiai kontroliuojami tam, kad būtų pasiekta gera skiriamoji
geba fotorezistų kaukėse.
Atlikus fotorezisto kietinimą, pro angas fotoreziste Si 3
N 4
sluoksnis sausai ėsdinamas plazmoje. Si plokštelė po Si 3
N 4
plėvelės
ėsdinimo pavaizduota 2.9 paveiksle.
p
2.9 pav. Si plokštelė po Si 3
N 4
plėvelės ėsdinimo
Po Si 3
N 4
ėsdinimo fotorezisto kaukė nereikalinga ir ji pašalinama
organiniuose tirpikliuose ir koncentruotose rūgštyse („šlapiai“)
arba plazmoje („sausai“), arba viena po kitos vykdomos
fotorezisto nuėmimo sausuoju ir / arba šlapiuoju būdu operacijos.
Po to atliekamas lokalus silicio oksidavimo procesas vandens
garuose, pvz., kai proceso temperatūra yra lygi 1000 ºC, o
trukmė – 90 min., išauga 0,5 µm storio silicio oksidas. Si plokštelė
po lokalaus oksidavimo pavaizduota 2.10 paveiksle.
40