mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ<br />
sluoksnes metalų sistemas. Modeliuojamos KMOP struktūros<br />
kontaktams bus naudojama daugiasluoksnė sistema: TiSi 2<br />
– ominis<br />
kontaktas su Si puslaidininkiu, TiN – barjerinis sluoksnis,<br />
W – „kaištinis“ metalo sluoksnis, Al – viršutinis mažos specifinės<br />
varžos metalo sluoksnis.<br />
5.5 pav. Silicio plokštelė, atkaitinus suformuotas santakas ir ištakas<br />
100 nm storio Ti sluoksnio plėvelė gaunama dulkinant medžiagą<br />
jonų bombardavimo būdu. TiSi 2<br />
sluoksnis yra gaunamas<br />
iš 100 nm Ti sluoksnio, pakaitinus jį 1 minutę azoto (N 2<br />
) aplinkoje,<br />
esant 600 °C temperatūrai. Kai temperatūra siekia 600 °C,<br />
Si reaguoja su plonu Ti sluoksniu prie Si ir susidaro apie 25 nm<br />
TiSi 2<br />
sluoksnis, o N 2<br />
aplinkoje iš likusio Ti sluoksnio gaunamas<br />
titano nitridas (TiN 2<br />
).<br />
TiSi 2<br />
gavimo iš Ti sluoksnio programinis kodas yra toks:<br />
98
Change language