Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

zastosowanego w procesie poimplantacyjnego wygrzewania, różnego dla Si:V i Si:Cr.W przypadku Si:V nie zaobserwowano istotnych zmian po wysokociśnieniowymwygrzewaniu, natomiast dla Si:Cr spowodowało to znaczącą ewolucję struktury defektowej.Prowadzono również badania dotyczące wpływu warunków wygrzewania(temperatury, ciśnienia i czasu) na strukturę defektową krzemu implantowanego różnymijonami, np. azot, hel, wodór [37-39]. Zaobserwowano wyraźny związek pomiędzy wybranymiparametrami obróbki termicznej a własnościami strukturalnymi próbek oraz wykazano,że wygrzewanie w wysokim ciśnieniu powoduje wyraźne zmniejszenie koncentracjirelatywnie małych defektów, co w rezultacie powoduje poprawę jakości struktury.Stwierdzono także zależność pomiędzy kształtem i intensywnością rentgenowskiegorozpraszania dyfuzyjnego a obecnością aglomeratów defektów punktowych oraz dyslokacji.1.3. Cel rozprawySzereg prac wskazuje na możliwą zależność magnetyzmu implantowanego krzemuod defektów strukturalnych, dlatego też celem rozprawy były kompleksowe badania strukturydefektowej monokryształów krzemu otrzymanych różnymi metodami wzrostu (metodąCzochralskiego i metodą "Floating zone"), następnie implantowanych jonami manganu orazpoddanych procesowi wygrzewania w zróżnicowanych warunkach temperatury i ciśnienia.Dobór parametrów poimplantacyjnej obróbki ma wpływ na zmianę struktury defektowejkryształów Si:Mn, a przez to także na zmianę własności magnetycznych tych materiałów.Szczegółowa analiza strukturalna Si:Mn jest poszukiwaniem zależności tej strukturyod warunków przygotowania i wygrzewania próbek Si:Mn. Wyjątkowo ważnym,nierozwiązanym dotychczas problemem było określenie wpływu warunków wygrzewaniana wymiary i koncentrację powstałych wydzieleń MnSi.Własności próbek scharakteryzowano przy użyciu rozmaitych metod badawczychi obliczeniowych, przy czym największy nacisk położono na techniki dyfrakcyjne. Niniejszapraca jest także wprowadzeniem i przybliżeniem kilku mniej znanych metod badawczych,jednak niezwykle wartościowych dla charakterystyki kryształów o wysokiej doskonałościstrukturalnej: dyfrakcyjnego mapowania węzła przestrzeni odwrotnej, identyfikacji wydzieleńprzy użyciu dyfrakcji w geometrii poślizgowej, wyznaczania rozmiaru i koncentracjidefektów poprzez analizę krzywych dyfrakcyjnych I(q) w obszarze rozpraszania dyfuzyjnego,czy też charakteryzacji stanu naprężeń przy użyciu symulacji krzywych dyfrakcyjnych 2θ/ω.- 10 -