WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...

More documents

Recommendations

Info

zachodzi zjawisko dyfrakcji, można związać pewną oś dyfrakcji, stąd mówimy, że pomiarwykonywany jest w modzie dwuosiowym (ang. „double-axis configuration”, DAC).Gdy przed licznikiem ustawiony jest analizator, wtedy wiązka ulega ugięciu na trzecimz kolei układzie, co daje w sumie konfigurację trójosiową (ang. „triple-axis configuration”,TAC). Oba mody ilustruje rysunek 5.5. Zarejestrowana krzywa będąca wynikiem pomiarujest w istocie splotem krzywych dyfrakcyjnych (z funkcjami aparaturowymi) pochodzącychod monochromatora, kryształu próbki oraz analizatora, jeśli był użyty.Rys. 5.5. Schemat blokowy wysokorozdzielczego dyfraktometru rentgenowskiegow konfiguracji dwuosiowej (a) i trójosiowej (b).Sam proces pomiaru przeprowadzanego przy użyciu dyfraktometru Philips MRDsterowany jest komputerowo. Do obsługi goniometru, optymalizacji parametrów pomiaróworaz zbierania wyników używane było oprogramowanie firmy PANalitycal, o nazwie X’PertData Collector, stanowiące element typowego wyposażenia dyfraktometrów firmy Philips.- 56 -
5.1.3. Wysokorozdzielcze pomiary dyfrakcyjne – otrzymywanie krzywych I(ω), I(2θ)oraz I(2θ/ω)W dyfraktometrii wysokorozdzielczej, w zależności od tego, w jaki sposób„przecinamy” dany węzeł sieci odwrotnej, można rozróżnić trzy typowe krzywe: I(ω), I(2θ)oraz I(2θ/ω). Pierwsza z nich – krzywa I(ω), tzw. skan ω, jest zależnością natężenia I wiązkiugiętej od kąta ω padania wiązki na powierzchnię kryształu. Podczas pomiaru, detektorznajduje się w pozycji nieruchomej (jest to pozycja kątowa w przybliżeniu równa tablicowejwartości kąta Bragga dla badanych płaszczyzn sieciowych) natomiast próbka zmienia swojepołożenie w stosunku do wiązki padającej, tj. kąt ω zmienia się poprzez obrót próbki wokółosi y, często nazywanej osią dyfraktometru. Używając terminów i oznaczeń wprowadzonychw rozdziale 5.1.1 – w czasie pomiaru stały jest kąt 2θ pomiędzy wektorem fali padającej K →0a wektorem fali ugiętejK → i , natomiast zmienia się kąt pomiędzy wektorem K →0a powierzchnią kryształu. Skanowanie przestrzeni odwrotnej odbywa się w kierunkuprostopadłym do wektora dyfrakcji→Q , a sam wektor dyfrakcji zatacza łuk okręguo promieniu krzywizny równym długości tego wektora. Schemat skanu ω pokazany jestna rysunku 5.6.Rys. 5.6. Schemat skanu ω węzła sieciowego w przestrzeni odwrotnej.Najbardziej popularnym zastosowaniem skanu ω jest otrzymywanie tzw. krzywychodbić, których interpretacja ma na celu ogólne scharakteryzowanie stanu zdefektowaniabadanej próbki, m.in. poprzez wyznaczenie szerokości połówkowej otrzymanej krzywej- 57 -
Page 1:
INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII N
Page 7 and 8: 1. Wprowadzenie do tematyki badań
Page 10 and 11: zastosowanego w procesie poimplanta
Page 12 and 13: 2. Preparatyka, obróbka oraz proce
Page 14 and 15: 0∫R = S(E)dE(2.1)pE0gdzie: S - zd
Page 16 and 17: ∂cJ = −D(2.2)∂xgdzie: D - wsp
Page 18 and 19: yć wygięcie bloku krystalicznego,
Page 20: Stosowany w naszym eksperymencie uk
Page 24 and 25: natomiast drugi, w pozycji 53,58°,
Page 26 and 27: i 1270 K pojawiają się dodatkowe
Page 28 and 29: Rys. 3.8. Dyfraktogramy próbek Cz-
Page 30 and 31: z odpowiadającymi im krzywymi dla
Page 32 and 33: Fz-Si:Mn (T S = 610 K), po wygrzani
Page 34 and 35: 3.4.1. Parametry sieci wydzieleń M
Page 36 and 37: zastosowanego ciśnienia hydrostaty
Page 38 and 39: 4. Badania próbek Si:Mn z zastosow
Page 40 and 41: to ilość wystarczająca dla uzysk
Page 42 and 43: 4.2.2. Wpływ temperatury wygrzewan
Page 44 and 45: Rys. 4.5. Profile głębokościowe
Page 46 and 47: Rys. 4.7. Profile głębokościowe
Page 48 and 49: Profile głębokościowe Mn dla pr
Page 50 and 51: 5. Badanie struktury defektowej Si:
Page 52 and 53: W praktyce dużo wygodniejsze jest
Page 54 and 55: Dyfraktometr Philips MRD wyposażon
Page 58 and 59: dyfrakcyjnej. Pomiar krzywej odbić
Page 60 and 61: Rys. 5.9. Schemat mapowania węzła
Page 62 and 63: Występowanie defektów punktowych
Page 64 and 65: temperatury, a także ciśnienia. R
Page 66 and 67: Rys. 5.12. Mapy węzła 004 sieci o
Page 68 and 69: w płaszczyznach {110} dość dobrz
Page 74 and 75: Wykonane symulacje numeryczne map w
Page 76 and 77: Rys. 6.1. Ogólny schemat budowy tr
Page 78 and 79: próbkom wygrzewanym w ciśnieniu p
Page 80 and 81: o wielkości do kilkudziesięciu nm
Page 82 and 83: (a) (b) (c)Rys. 6.5. Zdjęcia TEM d
Page 84 and 85: → →Π (m, n) - bezwymiarowy czy
Page 86 and 87: Zmienna C jest tzw. „siłą” de
Page 88 and 89: Wilsona był obecny. Zatem podjęto
Page 90 and 91: Obliczone i przedstawione w tabeli
Page 92 and 93: propagacji promieniowania rentgenow
Page 94 and 95: Si:Mn, pokazano, że dla próbek ni
Page 96 and 97: Rys. 8.1. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
Page 98 and 99: Rys. 8.4. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
Page 100 and 101: Rys. 8.5. Dyfraktogram I(2θ/ω) wo
Page 102 and 103: na to, że przyczyną takiego stanu
Page 104 and 105: 9.2. Wyniki pomiarów magnetycznych
Page 106 and 107:
Rys. 9.3. Krzywe namagnesowania (zn
Page 108 and 109:
Rys. 9.4. Krzywe namagnesowania (be
Page 110 and 111:
wynika, że parametry sieci wydziel
Page 112 and 113:
emitowanego promieniowania charakte
Page 114 and 115:
Ważną obserwacją okazało się,
Page 116 and 117:
którym określono liczbę, rodzaj
Page 118 and 119:
Badanie rentgenowskiego rozpraszani
Page 120 and 121:
Literatura[1] T. Dietl, Postępy Fi
Page 122 and 123:
[38] J. Bak-Misiuk, P. Romanowski,
Page 124 and 125:
[73] M. A. Krivoglaz, „Theory of
Page 126 and 127:
[113] M. Klepka, „Wyznaczanie sk
Page 128 and 129:
10. A. Misiuk, A. Barcz, J. Bąk-Mi
Page 130:
27. E. Dynowska, J. Bąk-Misiuk, P.
show all

WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?

WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...