Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

Rys. 7.3. Rozpraszanie dyfuzyjne wyrażone jako log I = f(log q) dla próbek Si:Mn:Cz-Si:Mn (T S = 610 K), T A = 870 K (a); Fz-Si:Mn (T S = 610 K), T A = 610 K (b).7.3. Podsumowanie wyników obliczeń średniego rozmiaru i koncentracji defektóww próbkach Si:MnAnaliza nachylenia krzywych zależności I(q) zmierzonych z użyciem wiązkipromieniowania synchrotronowego pozwoliła na wyznaczenie średniego rozmiaru defektówi oszacowanie ich koncentracji w części badanych kryształów Si:Mn (tabela 7.1).Nie dla wszystkich zmierzonych próbek możliwe było zastosowanie metody obliczeniowejopisanej w rozdziale 7.1. Dyskusja wyników pozwoliła na kilka podsumowującychobserwacji: Dla próbek Cz-Si implantowanych Mn + do zimnego podłoża nie udało się wyodrębnićtrzech obszarów rozpraszania dyfuzyjnego. Przyczyną jest prawdopodobnie duży rozrzutrozmiarów defektów. Z badań dyfrakcyjnych przeprowadzonych w geometrii poślizgowej(rozdział 3.3.2) oraz zdjęć TEM (rozdział 6.3.1) wiadomo, że w przeciwieństwiedo próbek implantowanych do gorącego podłoża wygrzewanie powoduje przedewszystkim powstawanie polikrystalicznej/nanoblokowej fazy Si. Stąd może brać się dużyrozrzut rozmiarów defektów, które generowane są nie tylko przez wydzielenia, ale takżeprzez nanoblokową strukturę zrekrystalizowanego krzemu. Trzech obszarów rozpraszania nie udało się wyodrębnić także dla wszystkich typówpróbek wygrzanych w temperaturze T A = 1270 K, co prawdopodobnie ma związekz faktem, że tak wysoka temperatura powodująca dużą ruchliwość manganu(w konsekwencji wydyfundowywanie części manganu – rozdział 4.2) może mieć wpływna duży rozrzut rozmiarów defektów.- 89 -