Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

(a) (b) (c)Rys. 6.5. Zdjęcia TEM dla próbek Fz-Si:Mn (T S = 610 K): T A = 610 K (a); T A = 870 K (b); T A = 1070 K (c).6.4. Podsumowanie badań przeprowadzonych z zastosowaniem transmisyjnejmikroskopii elektronowejPrzy pomocy techniki transmisyjnej mikroskopii elektronowej zobrazowano strukturętrzech grup próbek Si:Mn wygrzewanych w różnych temperaturach. Potwierdzonopowstawanie polikrystalicznych wydzieleń, których odległości międzypłaszczyznowe z dobrądokładnością odpowiadają związkowi Mn 4 Si 7 . Z analizy otrzymanych zdjęć wynika,że dla próbek Si:Mn implantowanych Mn + do gorącego podłoża istnieje wprostproporcjonalna zależność rozmiarów wydzieleń Mn 4 Si 7 od temperatury wygrzewania próbek.Zaobserwowano także, że po wygrzewaniu próbek Cz-Si implantowanych Mn + do zimnegopodłoża następuje kreacja struktury nanoblokowej Si. Analiza zdjęć TEM nie potwierdziławystępowania defektów typu pętle dyslokacyjne, co w zestawieniu z wynikami pomiarówmap węzła sieci odwrotnej prowadzi do wniosku, że wydzielenia o rozmiarach powyżej20 nm powodują powstawanie dyfrakcyjnego rozpraszania dyfuzyjnego zbliżonegodo rozpraszania na defektach typu pętle dyslokacyjne.- 82 -