Literatura[1] T. Dietl, Postępy Fizyki 53D (2002) 14[2] T. Dietl, Semicond. Sci. Technol. 17 (2002) 377[3] H. Ohno, H. Munekata, T. Penney, S. von Mol<strong>na</strong>r, L. L. Chang, Phys. Rev. Lett. 68(1992) 2664[4] H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, Y. Iye, Appl. Phys.Lett. 69 (1996) 363[5] H. Ohno, Science 281 (1998) 951[6] F. Matsukura, H. Ohno, A. Shen, Y. Sugarawa, Phys. Rev. B 57 (1998) R2037[7] T. Story, R. R. Galazka, R. B. Frankel, P. A. Wolff, Phys. Rev. Lett. 56 (1986) 777[8] T. Dietl, A. Haury, Y. Merle d’Aubigne, Phys. Rev. B 55 (1997) R3347[9] A. Haury, A. Wasiela, A. Arnoult, J. Cibert, S. Tatarenko, T. Dietl, Y. Merle d’Aubigne,Phys. Rev. Lett. 79 (1997) 511[10] P. Kossacki, D. Ferrand, A. Arnoult, J. Cibert, S. Tatarenko, A. Wasiela, Y. Merled’Aubigne, J. -L. Staehli, J. -D. Ganiere, W. Bardyszewski, K. Swiatek, M. Sawicki,J. Wrobel, T. Dietl, Physica E 6 (2000) 709[11] D. Ferrand, J. Cibert, A. Wasiela, C. Bourgognon, S. Tatarenko, G. Fichman,T. Andrearczyk, J. Jaroszynski, S. Kolesnik, T. Dietl, B. Barbara, D. Dufeu, Phys. Rev. B63 (2001) 085201[12] T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, D. Ferrand, Science 287 (2000) 1019[13] T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, Phys. Rev. B 63 (2001) 195205[14] G. A. Medvedkin, T. Ishibashi, T. Nishi, K. Hayata, Y. Hasegawa, K. Sato, Jpn. J. Appl.Phys. 39 (2000) L949[15] K. Ueda, H. Tabata, T. Kawai, Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 988[16] S. Sonoda, S. Shimizu, T. Sasaki, Y. Yamamoto, H. Hori, J. Cryst. Growth 237-239(2002) 1358[17] L. Chen, S. Yan, P. F. Xu, J. Lu, W. Z. Wang, J. J. Deng, X. Qian, Y. Ji, J. H. Zhao, Appl.Phys. Lett. 95 (2009) 182505[18] Y. Matsumoto, M. Murakami, T. Shono, T. Hasegawa, T. Fukumura, M. Kawasaki,P. Ahmet, T. Chikyow, S. Koshihara, H. Koinuma, Science 291 (2001) 854[19] Y. D. Park, A. Wilson, A. T. Hanbicki, J. E. Mattson, T. Ambrose, G. Spanos,B. T. Jonker, Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 016118- 120 -
[20] Y. D. Park, A. T. Hanbicki, S. C. Erwin, C. S. Hellberg, J. M. Sullivan, J. Mattson,T. F. Ambrose, A. Wilson, G. Spanos, B. T. Jonker, Science 295 (2002) 651[21] T. Yokota, N. Fujimura, Y. Mori<strong>na</strong>ga, T. Ito, Physica E 10 (2001) 237[22] C. Zeng, S. C. Erwin, L. C. Feldman, A. P. Li, R. Jin, Y. Song, J. R. Thompson,H. H. Weitering, Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 5002[23] F. Tsui, L. He, L. Ma, A. Tkachuk, Y. S. Chu, K. Nakajima, T. Chikyow, Phys. Rev. Lett.91 (2003) 177203[24] F. M. Zhang, X. C. Liu, J. Gao, X. S. Wu, Y. W. Du, H. Zhu, J. Q. Xiao, P. Chen, Appl.Phys. Lett. 85 (2004) 786[25] N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, M. E. Overberg, M. E. Overberg, C. R. Aber<strong>na</strong>thy,S. J. Pearton, S. N. G. Chu, R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 3475[26] N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, S. N. G. Chu, M. E. Overberg, C. R. Aber<strong>na</strong>thy,S. J. Pearton, R. G. Wilson, J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 3452[27] N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, S. N. G. Chu, M. E. Overberg, C. R. Aber<strong>na</strong>thy,S. J. Pearton, R. G. Wilson, J. M. Zavada, J. Appl. Phys. 91 (2002) 7499[28] H. Nakayama, H. Ohta, E. Kulatov, Physica B 302-303 (2001) 419[29] M. Bolduc, C. Awo-Affouda, A. Stollenwerk, M. B. Huang, F. G. Ramos, G. Agnello,V. P. LaBella, Phys. Rev. B 71 (2005) 033302[30] S. Zhou, K. Potzger, G. Zhang, A. Mucklich, F. Eichhorn, N. Schell, R. Grotzschel,B. Schmidt, W. Skorupa, M. Helm, J. Fassbender, Phys. Rev. B 75 (2007) 085203[31] S. Yabuuchi, H. Kageshima, Y. Ono, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ohta, Phys. Rev. B 78(2008) 045307[32] T. Dubroca, J. Hack, R. E. Hummel, A. Angerhofer, Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 182504[33] A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, B. Surma, W. Osinniy, M. Szot, T. Story, J. Jagielski, J. AlloysComp. 423 (2006) 201[34] A. Misiuk, B. Surma, J. Bak-Misiuk, A. Barcz, W. Jung, W. Osinniy, A. Shalimov, Mat.Science in Semicond. Proc. 9 (2006) 270[35] A. Misiuk, L. Chow, A. Barcz, B. Surma, J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, W. Osinniy,F. Salman, G. Chai, M. Prujszczyk, A. Trojan, ECS Transactions 3 (2006) 481[36] A. Misiuk, A. Barcz, L. Chow, B. Surma, J. Bak-Misiuk, M. Prujszczyk, Solid State Phen.131-133 (2008) 375[37] J. Bak-Misiuk, A. Misiuk, W. Paszkowicz, A. Shalimov, J. Hartwig, L. Bryja,J. Z. Domagala, J. Trela, W. Wierzchowski, K. Wieteska, J. Ratajczak, W. Graeff,J. Alloys and Comp. 362 (2004) 275- 121 -
- Page 1:
INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII N
- Page 7 and 8:
1. Wprowadzenie do tematyki badań
- Page 10 and 11:
zastosowanego w procesie poimplanta
- Page 12 and 13:
2. Preparatyka, obróbka oraz proce
- Page 14 and 15:
0∫R = S(E)dE(2.1)pE0gdzie: S - zd
- Page 16 and 17:
∂cJ = −D(2.2)∂xgdzie: D - wsp
- Page 18 and 19:
yć wygięcie bloku krystalicznego,
- Page 20:
Stosowany w naszym eksperymencie uk
- Page 24 and 25:
natomiast drugi, w pozycji 53,58°,
- Page 26 and 27:
i 1270 K pojawiają się dodatkowe
- Page 28 and 29:
Rys. 3.8. Dyfraktogramy próbek Cz-
- Page 30 and 31:
z odpowiadającymi im krzywymi dla
- Page 32 and 33:
Fz-Si:Mn (T S = 610 K), po wygrzani
- Page 34 and 35:
3.4.1. Parametry sieci wydzieleń M
- Page 36 and 37:
zastosowanego ciśnienia hydrostaty
- Page 38 and 39:
4. Badania próbek Si:Mn z zastosow
- Page 40 and 41:
to ilość wystarczająca dla uzysk
- Page 42 and 43:
4.2.2. Wpływ temperatury wygrzewan
- Page 44 and 45:
Rys. 4.5. Profile głębokościowe
- Page 46 and 47:
Rys. 4.7. Profile głębokościowe
- Page 48 and 49:
Profile głębokościowe Mn dla pr
- Page 50 and 51:
5. Badanie struktury defektowej Si:
- Page 52 and 53:
W praktyce dużo wygodniejsze jest
- Page 54 and 55:
Dyfraktometr Philips MRD wyposażon
- Page 56 and 57:
zachodzi zjawisko dyfrakcji, można
- Page 58 and 59:
dyfrakcyjnej. Pomiar krzywej odbić
- Page 60 and 61:
Rys. 5.9. Schemat mapowania węzła
- Page 62 and 63:
Występowanie defektów punktowych
- Page 64 and 65:
temperatury, a także ciśnienia. R
- Page 66 and 67:
Rys. 5.12. Mapy węzła 004 sieci o
- Page 68 and 69:
w płaszczyznach {110} dość dobrz
- Page 70 and 71: Rys. 5.15. Mapy węzła 004 sieci o
- Page 72 and 73: Rys. 5.18. Mapy węzła 004 sieci o
- Page 74 and 75: Wykonane symulacje numeryczne map w
- Page 76 and 77: Rys. 6.1. Ogólny schemat budowy tr
- Page 78 and 79: próbkom wygrzewanym w ciśnieniu p
- Page 80 and 81: o wielkości do kilkudziesięciu nm
- Page 82 and 83: (a) (b) (c)Rys. 6.5. Zdjęcia TEM d
- Page 84 and 85: → →Π (m, n) - bezwymiarowy czy
- Page 86 and 87: Zmienna C jest tzw. „siłą” de
- Page 88 and 89: Wilsona był obecny. Zatem podjęto
- Page 90 and 91: Obliczone i przedstawione w tabeli
- Page 92 and 93: propagacji promieniowania rentgenow
- Page 94 and 95: Si:Mn, pokazano, że dla próbek ni
- Page 96 and 97: Rys. 8.1. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
- Page 98 and 99: Rys. 8.4. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
- Page 100 and 101: Rys. 8.5. Dyfraktogram I(2θ/ω) wo
- Page 102 and 103: na to, że przyczyną takiego stanu
- Page 104 and 105: 9.2. Wyniki pomiarów magnetycznych
- Page 106 and 107: Rys. 9.3. Krzywe namagnesowania (zn
- Page 108 and 109: Rys. 9.4. Krzywe namagnesowania (be
- Page 110 and 111: wynika, że parametry sieci wydziel
- Page 112 and 113: emitowanego promieniowania charakte
- Page 114 and 115: Ważną obserwacją okazało się,
- Page 116 and 117: którym określono liczbę, rodzaj
- Page 118 and 119: Badanie rentgenowskiego rozpraszani
- Page 122 and 123: [38] J. Bak-Misiuk, P. Romanowski,
- Page 124 and 125: [73] M. A. Krivoglaz, „Theory of
- Page 126 and 127: [113] M. Klepka, „Wyznaczanie sk
- Page 128 and 129: 10. A. Misiuk, A. Barcz, J. Bąk-Mi
- Page 130: 27. E. Dynowska, J. Bąk-Misiuk, P.