Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

Rys. 8.5. Dyfraktogram I(2θ/ω) wokół węzła 004 Si (a) wraz z symulacją (b) dla próbkiCz-Si:Mn (T S = 340 K) „as-implanted”. U góry: rozkład naprężeń dla tego przypadku.Powyżej wykresu dopasowania krzywej I(2θ/ω) umieszczony został diagram rozkładuodkształceń komórki elementarnej Si dla tego przypadku, w zależności od głębokości próbki.Oś rzędnych opisana jest w bezwymiarowych, względnych jednostkach niedopasowaniasieciowego, będącego stosunkiem parametru sieciowego na danej głębokości, do parametrusieciowego komórki niezdeformowanej, wyrażony w ppm („parts per million”) [101].Odkształcenia dają informację o wielkości naprężeń, jakie deformują komórkę na danejgłębokości (wielkość odkształcenia jest odwrotnością naprężenia).Analiza otrzymanego rozkładu odkształceń daje następujące informacje: Największe odchylenia parametru sieciowego, czyli jednocześnie największe naprężeniastruktury znajdują się na głębokości ok. 140 (±10) nm od powierzchni próbki,co odpowiada największej koncentracji manganu. Naprężenia „zerują się” na głębokości nieco powyżej 200 nm, co może być związanez głębokością dyfuzji manganu w głąb kryształu; nie jest to jednak jednoznaczne z tym,że poniżej tej głębokości już nie ma defektów (w tym wydzieleń) związanychz obecnością manganu – na dalszej głębokości koncentracja defektów jest na tyle mała,że nie powoduje deformacji komórki elementarnej Si. Symulacja wykazuje istnienie niewielkich naprężeń aż do samej powierzchni próbki,powstałych w wyniku albo obecności manganu powodującego odkształcenia sieci,albo ze względu na poimplantacyjne zniszczenia w warstwie przestrzelonej.- 100 -