WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...

More documents

Recommendations

Info

Wykonane symulacje numeryczne map węzłów sieci odwrotnej zasugerowały,że wygrzewanie próbek Si:Mn implantowanych Mn + do gorącego podłoża w temperaturzepowyżej 1070 K powoduje pojawienie się struktury defektowej zdominowanej przezdefekty typu pętle dyslokacyjne rozmieszczone w płaszczyznach {111} i o wektorzeBurgersa . Dla Cz-Si implantowanego Mn + do zimnego podłoża dopiero wygrzewaniew temperaturze 1270 K powoduje pojawienie się izokonturów rozpraszania dyfuzyjnegoodpowiadającego występowaniu pętli dyslokacyjnych (rozmieszczonych w płaszczyznach{110} i o wektorze Burgersa ). W przypadku próbki Fz-Si implantowanej Mn + do gorącego podłoża, wygrzewaniew 1270 K zwiększa koncentrację międzywęzłowych defektów punktowych. Wygrzewanie wysokociśnieniowe nie wpływa na zmianę struktury defektowejzrekrystalizowanych warstw Si:Mn. W przypadku próbki Cz-Si implantowanej Mn +do zimnego podłoża, gdzie poimplantacyjna struktura jest nieuporządkowana, wysokieciśnienie hamuje rozwój struktury defektowej. Struktura defektowa kształtuje się podczas pierwszej godziny wygrzewania, stądwydłużone wygrzewanie nie przynosi istotnych zmian.- 74 -
6. Badanie struktury defektowej Si:Mn z zastosowaniem wysokorozdzielczejtransmisyjnej mikroskopii elektronowejZastosowanie techniki transmisyjnej mikroskopii elektronowej w badaniach strukturypróbek Si:Mn pozwoliło potwierdzić wyniki otrzymane w rozdziałach 3 i 5 (badaniaz użyciem geometrii poślizgowej i promieniowania synchrotronowego oraz mapowanie węzłasieci odwrotnej). Techniką tą badano szereg próbek z każdej z omawianych grup kryształówSi:Mn. Zanim jednak przedstawione zostaną zdjęcia otrzymane metodą transmisyjnejmikroskopii elektronowej, omówione zostaną podstawy tej techniki oraz metodykaprzygotowania próbki do pomiaru.6.1. Transmisyjny mikroskop elektronowy i podstawy obrazowaniaTransmisyjna mikroskopia elektronowa (TEM, „Transmission Electron Microscopy”)jest niezwykle popularnym i stosowanym na szeroką skalę narzędziem badawczym służącymdo obrazowania struktury materiałów, a także analizy zjawisk w nich zachodzących w wynikuprocesów technologicznych. Wysokorozdzielcza transmisyjna mikroskopia elektronowa(HRTEM, „High-Resolution Transmission Electron Microscopy”) umożliwia obserwacjęstruktur w rozdzielczości rzędu od jednego do kilku atomów.TEM jest techniką opartą na zjawisku przechodzenia skupionej wiązki elektronówprzez badany preparat [80,81]. Efektem tego procesu, jest rejestracja na ekranieelektronoluminescencyjnym, kliszy fotograficznej lub w postaci cyfrowej obrazu strukturymierzonego materiału. Wiązka elektronowa wytwarzana jest w dziale elektronowym,przyspieszana w próżni (pomiędzy katodą a anodą), a następnie formowana w soczewcezwanej kondensorem będącej układem cewek ogniskujących, które kształtują polemagnetyczne zmieniające bieg wiązki. Następnie wiązka przechodzi przez preparat(transmisja) i dalej kształtowana jest przez układ obrazujący – obiektyw i projektor (układcewek). Schemat ideowy omawianego procesu pokazany jest na rysunku 6.1. Ponieważwiązka elektronowa przechodząca przez preparat doznaje ugięcia, możliwe jest takżeuzyskiwanie obrazów dyfrakcyjnych.- 75 -
Page 1:
INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII N
Page 7 and 8:
1. Wprowadzenie do tematyki badań
Page 10 and 11:
zastosowanego w procesie poimplanta
Page 12 and 13:
2. Preparatyka, obróbka oraz proce
Page 14 and 15:
0∫R = S(E)dE(2.1)pE0gdzie: S - zd
Page 16 and 17:
∂cJ = −D(2.2)∂xgdzie: D - wsp
Page 18 and 19:
yć wygięcie bloku krystalicznego,
Page 20:
Stosowany w naszym eksperymencie uk
Page 24 and 25: natomiast drugi, w pozycji 53,58°,
Page 26 and 27: i 1270 K pojawiają się dodatkowe
Page 28 and 29: Rys. 3.8. Dyfraktogramy próbek Cz-
Page 30 and 31: z odpowiadającymi im krzywymi dla
Page 32 and 33: Fz-Si:Mn (T S = 610 K), po wygrzani
Page 34 and 35: 3.4.1. Parametry sieci wydzieleń M
Page 36 and 37: zastosowanego ciśnienia hydrostaty
Page 38 and 39: 4. Badania próbek Si:Mn z zastosow
Page 40 and 41: to ilość wystarczająca dla uzysk
Page 42 and 43: 4.2.2. Wpływ temperatury wygrzewan
Page 44 and 45: Rys. 4.5. Profile głębokościowe
Page 46 and 47: Rys. 4.7. Profile głębokościowe
Page 48 and 49: Profile głębokościowe Mn dla pr
Page 50 and 51: 5. Badanie struktury defektowej Si:
Page 52 and 53: W praktyce dużo wygodniejsze jest
Page 54 and 55: Dyfraktometr Philips MRD wyposażon
Page 56 and 57: zachodzi zjawisko dyfrakcji, można
Page 58 and 59: dyfrakcyjnej. Pomiar krzywej odbić
Page 60 and 61: Rys. 5.9. Schemat mapowania węzła
Page 62 and 63: Występowanie defektów punktowych
Page 64 and 65: temperatury, a także ciśnienia. R
Page 66 and 67: Rys. 5.12. Mapy węzła 004 sieci o
Page 68 and 69: w płaszczyznach {110} dość dobrz
Page 76 and 77: Rys. 6.1. Ogólny schemat budowy tr
Page 78 and 79: próbkom wygrzewanym w ciśnieniu p
Page 80 and 81: o wielkości do kilkudziesięciu nm
Page 82 and 83: (a) (b) (c)Rys. 6.5. Zdjęcia TEM d
Page 84 and 85: → →Π (m, n) - bezwymiarowy czy
Page 86 and 87: Zmienna C jest tzw. „siłą” de
Page 88 and 89: Wilsona był obecny. Zatem podjęto
Page 90 and 91: Obliczone i przedstawione w tabeli
Page 92 and 93: propagacji promieniowania rentgenow
Page 94 and 95: Si:Mn, pokazano, że dla próbek ni
Page 96 and 97: Rys. 8.1. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
Page 98 and 99: Rys. 8.4. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
Page 100 and 101: Rys. 8.5. Dyfraktogram I(2θ/ω) wo
Page 102 and 103: na to, że przyczyną takiego stanu
Page 104 and 105: 9.2. Wyniki pomiarów magnetycznych
Page 106 and 107: Rys. 9.3. Krzywe namagnesowania (zn
Page 108 and 109: Rys. 9.4. Krzywe namagnesowania (be
Page 110 and 111: wynika, że parametry sieci wydziel
Page 112 and 113: emitowanego promieniowania charakte
Page 114 and 115: Ważną obserwacją okazało się,
Page 116 and 117: którym określono liczbę, rodzaj
Page 118 and 119: Badanie rentgenowskiego rozpraszani
Page 120 and 121: Literatura[1] T. Dietl, Postępy Fi
Page 122 and 123: [38] J. Bak-Misiuk, P. Romanowski,
Page 124 and 125:
[73] M. A. Krivoglaz, „Theory of
Page 126 and 127:
[113] M. Klepka, „Wyznaczanie sk
Page 128 and 129:
10. A. Misiuk, A. Barcz, J. Bąk-Mi
Page 130:
27. E. Dynowska, J. Bąk-Misiuk, P.
show all

WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?

WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...