Fz-Si:Mn (T S = 610 K), po wygrzaniu w temperaturze 870 K i czasie 10 h (rys. 3.13, krzywa(b)), w zestawieniu z próbką wygrzaną w czasie 1 h (krzywa (a)).Warto przyjrzeć się jeszcze krzywym (c) i (d) z rysunków 3.12 i 3.13, czylidyfraktogramom uzyskanym dla próbek Cz-Si (rys. 3.12) i Fz-Si (rys. 3.13), implantowanychMn + do gorącego podłoża, a <strong>na</strong>stępnie wygrzanych w temperaturze 1270 K i w czasach 1 h(<strong>na</strong> obu rysunkach krzywe (c)) oraz 5 h (krzywe (d)). Z rozdziału 3.3.3 i 3.3.4 wiemy,że dla próbek implantowanych do gorącego podłoża, wygrzewanie w temperaturze 1270 Kwpływa słabiej <strong>na</strong> kreację Mn 4 Si 7 , niż wygrzewanie w temperaturze 1070 K. A<strong>na</strong>lizująckrzywe dla próbek wygrzanych w czasie 5 h, <strong>na</strong> których piki od fazy Mn 4 Si 7 są praktycznieniewidoczne, możemy wywnioskować, że wydłużony czas <strong>wygrzewania</strong> tym bardziejnie wpływa pozytywnie <strong>na</strong> kreację tej fazy w temperaturze 1270 K.3.4. Uwagi dotyczące pomiarów i identyfikacji wydzieleń Mn 4 Si 7Identyfikacja wydzieleń fazy Mn 4 Si 7 oraz polikrystalicznego Si przeprowadzo<strong>na</strong>została przez porów<strong>na</strong>nie obserwowanych refleksów z dyfraktogramami z bazy danych[54,55], gdzie podane są zarówno położenia linii dyfrakcyjnych, jak i ich względneintensywności. Mając do czynienia z bardzo małą ilością identyfikowanej fazy, tak jak to mamiejsce zwłaszcza w przypadku wydzieleń Mn 4 Si 7 , <strong>na</strong>leży się spodziewać przede wszystkimrefleksów <strong>na</strong>jsilniejszych.Na rysunku 3.14 pokazano dyfraktogram teoretyczny sporządzony <strong>na</strong> podstawie bazydanych [55], gdzie pozycje pików obliczone zostały teoretycznie wraz z ich relatywnymiintensywnościami. Na dyfraktogramie tym uwzględniono jedynie <strong>na</strong>jsilniejsze refleksy,tzn. takie, których teoretycznie wyz<strong>na</strong>czo<strong>na</strong> intensywność stanowi przy<strong>na</strong>jmniej kilka<strong>na</strong>ścieprocent intensywności <strong>na</strong>jsilniejszego piku. Są to refleksy, które przypuszczalnie jesteśmyw stanie zarejestrować z<strong>na</strong>nymi metodami dyfrakcyjnymi, korzystając z promieniowaniasynchrotronowego. Wykres przedstawiony jest w skali liniowej. Pozycje kątowe obliczone sądla długości fali promieniowania Cu Kα 1 (λ = 1.54056 Å).- 32 -
Rys. 3.14. Teoretyczny dyfraktogram dla związku Mn 4 Si 7 (uwzględniono tylko <strong>na</strong>jsilniejsze refleksy).Najsilniejszy refleks pochodzący od fazy Mn 4 Si 7 – o wskaźnikach Millera 214widoczny <strong>na</strong> rysunku 3.14 z<strong>na</strong>jduje się w pozycji 42,98° (I = 100%), a intensywnośćwzględ<strong>na</strong> pozostałych linii zawiera się w przedziale od 12 do 51 %. Po porów<strong>na</strong>niuz dyfraktogramami uzyskanymi dla różnych grup próbek Si:Mn zauważono, że z podanych<strong>na</strong> dyfraktogramie teoretycznym <strong>na</strong>jsilniejszych refleksów, nie obserwujemy <strong>na</strong> pewnoczterech z nich, będących w pozycjach: 25,99° (refleks 104), 32,38° (200), 39,59° (213) oraz87,96° (338). Na zboczu refleksu 311 Si daje się zauważyć pik odpowiadający teoretycznejpozycji refleksu 304 Mn 4 Si 7 – 53,99°. Natomiast linie z<strong>na</strong>jdujące się w pozycjach 41,98°(214) i 42,98° (117), podobnie jak linie 46,45° (220) i 47,68° (222) są stosunkowo bliskosiebie i <strong>na</strong>jprawdopodobniej w pomiarach dyfrakcyjnych są splecione. Wyz<strong>na</strong>czone<strong>na</strong> dyfraktogramach doświadczalnych pozycje kątowe wskazują jed<strong>na</strong>k <strong>na</strong> fakt, że maksimaodpowiadają refleksom 214 i 222, co wynika także z różnicy teoretycznych intensywnościodpowiednich par pików.Należy także pamiętać także o tym, że w przypadku struktur warstwowychi wydzieleń, w przeciwieństwie do materiału proszkowego, mogą pojawiać się orientacjepreferowane wzmacniające jedne refleksy a osłabiające inne.- 33 -
- Page 1: INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII N
- Page 7 and 8: 1. Wprowadzenie do tematyki badań
- Page 10 and 11: zastosowanego w procesie poimplanta
- Page 12 and 13: 2. Preparatyka, obróbka oraz proce
- Page 14 and 15: 0∫R = S(E)dE(2.1)pE0gdzie: S - zd
- Page 16 and 17: ∂cJ = −D(2.2)∂xgdzie: D - wsp
- Page 18 and 19: yć wygięcie bloku krystalicznego,
- Page 20: Stosowany w naszym eksperymencie uk
- Page 24 and 25: natomiast drugi, w pozycji 53,58°,
- Page 26 and 27: i 1270 K pojawiają się dodatkowe
- Page 28 and 29: Rys. 3.8. Dyfraktogramy próbek Cz-
- Page 30 and 31: z odpowiadającymi im krzywymi dla
- Page 34 and 35: 3.4.1. Parametry sieci wydzieleń M
- Page 36 and 37: zastosowanego ciśnienia hydrostaty
- Page 38 and 39: 4. Badania próbek Si:Mn z zastosow
- Page 40 and 41: to ilość wystarczająca dla uzysk
- Page 42 and 43: 4.2.2. Wpływ temperatury wygrzewan
- Page 44 and 45: Rys. 4.5. Profile głębokościowe
- Page 46 and 47: Rys. 4.7. Profile głębokościowe
- Page 48 and 49: Profile głębokościowe Mn dla pr
- Page 50 and 51: 5. Badanie struktury defektowej Si:
- Page 52 and 53: W praktyce dużo wygodniejsze jest
- Page 54 and 55: Dyfraktometr Philips MRD wyposażon
- Page 56 and 57: zachodzi zjawisko dyfrakcji, można
- Page 58 and 59: dyfrakcyjnej. Pomiar krzywej odbić
- Page 60 and 61: Rys. 5.9. Schemat mapowania węzła
- Page 62 and 63: Występowanie defektów punktowych
- Page 64 and 65: temperatury, a także ciśnienia. R
- Page 66 and 67: Rys. 5.12. Mapy węzła 004 sieci o
- Page 68 and 69: w płaszczyznach {110} dość dobrz
- Page 70 and 71: Rys. 5.15. Mapy węzła 004 sieci o
- Page 72 and 73: Rys. 5.18. Mapy węzła 004 sieci o
- Page 74 and 75: Wykonane symulacje numeryczne map w
- Page 76 and 77: Rys. 6.1. Ogólny schemat budowy tr
- Page 78 and 79: próbkom wygrzewanym w ciśnieniu p
- Page 80 and 81: o wielkości do kilkudziesięciu nm
- Page 82 and 83:
(a) (b) (c)Rys. 6.5. Zdjęcia TEM d
- Page 84 and 85:
→ →Π (m, n) - bezwymiarowy czy
- Page 86 and 87:
Zmienna C jest tzw. „siłą” de
- Page 88 and 89:
Wilsona był obecny. Zatem podjęto
- Page 90 and 91:
Obliczone i przedstawione w tabeli
- Page 92 and 93:
propagacji promieniowania rentgenow
- Page 94 and 95:
Si:Mn, pokazano, że dla próbek ni
- Page 96 and 97:
Rys. 8.1. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
- Page 98 and 99:
Rys. 8.4. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
- Page 100 and 101:
Rys. 8.5. Dyfraktogram I(2θ/ω) wo
- Page 102 and 103:
na to, że przyczyną takiego stanu
- Page 104 and 105:
9.2. Wyniki pomiarów magnetycznych
- Page 106 and 107:
Rys. 9.3. Krzywe namagnesowania (zn
- Page 108 and 109:
Rys. 9.4. Krzywe namagnesowania (be
- Page 110 and 111:
wynika, że parametry sieci wydziel
- Page 112 and 113:
emitowanego promieniowania charakte
- Page 114 and 115:
Ważną obserwacją okazało się,
- Page 116 and 117:
którym określono liczbę, rodzaj
- Page 118 and 119:
Badanie rentgenowskiego rozpraszani
- Page 120 and 121:
Literatura[1] T. Dietl, Postępy Fi
- Page 122 and 123:
[38] J. Bak-Misiuk, P. Romanowski,
- Page 124 and 125:
[73] M. A. Krivoglaz, „Theory of
- Page 126 and 127:
[113] M. Klepka, „Wyznaczanie sk
- Page 128 and 129:
10. A. Misiuk, A. Barcz, J. Bąk-Mi
- Page 130:
27. E. Dynowska, J. Bąk-Misiuk, P.