Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

w płaszczyznach {110} dość dobrze oddaje obraz rozpraszania dla tej próbki (wstawkana mapie (d)).5.2.4. Wpływ temperatury wygrzewania na rozpraszanie dyfuzyjne dla próbekCz-Si:Mn (implantacja do gorącego podłoża)Kolejną grupą próbek, których mapy węzła 004 Si zostaną omówione, są próbkiCz-Si implantowane Mn + do gorącego podłoża (T S = 610 K) a następnie wygrzane, podobniejak poprzednia grupa, w temperaturach 610, 870, 1070 i 1270 K, w ciśnieniu atmosferycznymi czasie 1 h. Mapy tych próbek pokazane są na rysunku 5.14.Rys. 5.14. Mapy węzła 004 sieci odwrotnej dla próbek Cz-Si:Mn (T S = 610 K):T A = 610 K (a); T A = 870 K (b); T A = 1070 K wraz z symulacją (c); T A = 1270 K wraz z symulacją (d).Wygrzewanie w temperaturach T A = 610 i 870 K nie zmienia rozpraszaniadyfuzyjnego (rys. 5.14 (a) w porównaniu z rys. 5.12 (b)). Obserwujemy głównie rozpraszaniespójne, pochodzące od monokrystalicznej struktury Si wraz z charakterystycznym pasmemnaprężeniowym. Prawdopodobnie wymiary wydzieleń są jeszcze zbyt małe, aby wpływałyna zmianę rozpraszania dyfuzyjnego rejestrowanego za pomocą dyfraktometru z lampąrentgenowską. Sytuacja zmienia się po wygrzaniu w 1070 i 1270 K (mapy (c) i (d)) – pasmonaprężeniowe znika, co oznacza uzyskanie w wysokim stopniu uporządkowania- 68 -